صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true false
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 17 * 40 * 95 میلی‌متر 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول 102 گرم 10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 510,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR4
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2267EN

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 17 * 40 * 95 میلی‌متر 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 102 گرم 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایتبا ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما کابل USB-C به USB-C ** کابل USB-C به USB-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED true true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android ویندوز 8 به بالا ** مک OS X 10.6 به بالا ** لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS -
نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 17 * 40 * 95 میلی‌متر 12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم 31 گرم
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND -
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED true true
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 17 * 40 * 95 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 102 گرم 52 گرم
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND -
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true false
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 17 * 40 * 95 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true false
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 17 * 40 * 95 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true false
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician ** پشتیبانی از حالت UASP -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - SATA
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 17 * 40 * 95 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX