مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 17 × 40 × 95 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 102 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 8 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 گیگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر 17 × 40 × 95 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 102 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 256,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 8 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) DM620 -

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر 17 × 40 × 95 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 102 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 8 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 17 × 40 × 95 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP - مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 17 × 40 × 95 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix Controller

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 17 × 40 × 95 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - - 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ویژگی

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

محتویات جعبه - کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows, macOS, Android
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر 17 × 40 × 95 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 102 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 220,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS -
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64-Layer 3D TLC NAND NAND
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 8 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 460 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM NANYA DDR3 -
کنترلر (Controller) SMI SM2262EN -

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 17 × 40 × 95 میلی‌متر 15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 102 گرم 60 گرم
حافظه DRAM
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - Maxio Technology MAS0902A

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 17 × 40 × 95 میلی‌متر 8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 230,000IOPS
طول عمر متوسط - - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 17 × 40 × 95 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - - 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 17 × 40 × 95 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 102 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت با سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ T5 EVO USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 8 ترابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل تایپ C به تایپ C دفترچه راهنما - کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows, macOS, Android -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی سازگار با نرم افزار Samsung Magician پشتیبانی از حالت UASP - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, BSMI, KC, VCCI, RCM, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 1 Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 17 × 40 × 95 میلی‌متر 13 × 59 × 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 102 گرم 98 گرم
حافظه DRAM
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND -
میزان ظرفیت حافظه 8 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه