| نوع کاربری حافظه |
اینترنال
|
|---|---|
| پورت اتصال حافظه |
PCIe NVMe
|
| جزئیات اتصال ذخیرهسازی |
PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
|
| طراحی و ابعاد دستگاه |
2280 M.2
|
|---|
| میزان ظرفیت حافظه |
500
MB
89 بهتر از بقیه
|
|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) |
Samsung V-NAND 3-bit MLC
|
| کنترلر (Controller) |
Samsung Phoenix
|
| نرخ خواندن ترتیبی |
3400 مگابایت بر ثانیه
|
| نرخ نوشتن ترتیبی |
2300 مگابایت بر ثانیه
|
| سرعت خواندن تصادفی دادهها |
370,000IOPS
|
| سرعت نوشتن تصادفی دادهها |
450,000IOPS
|
| حافظه DRAM |
دارد
63٪ دارند
|
| نوع حافظه DRAM |
512 MB LPDDR4
|
| محدوده دمای عملیاتی |
0 تا 70 درجه سانتیگراد
|
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) |
3.3 ولت
|
| طول عمر متوسط |
1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
|
| میزان توان مصرفی |
5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلیوات * حالت DevSlp
|
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ |
ندارد
33٪ ندارند
|
|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM |
دارد
68٪ دارند
|
| قابلیت پشتیبانی از RAID |
ندارد
44٪ ندارند
|
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T |
دارد
66٪ دارند
|
| فناوری رمزنگاری |
AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
|
| اندازه و ابعاد |
2.38 * 22.15 * 80.15 میلیمتر
|
|---|---|
| وزن محصول |
8
گرم
70 بهتر از بقیه
|
| نشانگر وضعیت LED |
ندارد
12٪ ندارند
|
|---|