مقایسه
سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
با
کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
مقایسه
سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
با
کینگ مکس PQ3480 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
مقایسه ویژگی ها
| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیره‌سازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 500 گیگابایت | 256 گیگابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | Phison PS5012-E12 |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3400 مگابایت بر ثانیه | 1950 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 2300 مگابایت بر ثانیه | 1200 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی داده‌ها | 370,000IOPS | 80,000IOPS |
| سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها | 450,000IOPS | 200,000IOPS |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد | 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | 3.3 ولت |
| طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 180 ترابایت (TBW) |
| میزان توان مصرفی | - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp | 3.5 وات در حالت فعال |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | دارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
| قابلیت‌های جانبی | - | - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه |
| اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر | 22 × 80 میلی‌متر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 8 گرم | 10 گرم |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
شما چه امتیازی می دهید؟
