1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 19

صفحه 19 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه گلووی Stryker Series SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه گلووی Stryker Series SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه گلووی Stryker Series SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

گلووی VS سامسونگ
ویژگی

گلووی Stryker Series SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP و بالاتر - مک - لینوکس -
فناوری رمزنگاری 128 و 256 بیت AES AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/1.0 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, ROHS, FCC CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 7 × 69.85 × 100 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 100 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 1.5 وات در حالت فعال - 3 وات در حالت استندبای - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 75 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 480 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 350 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) Maxiotek Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 128GB {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 128GB {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 128GBبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس VS سامسونگ
ویژگی

توین موس ALPHA PRO NVMe M.2 128GB

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.2 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 128 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2455 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1832 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
کنترلر (Controller) SMI Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه توین موس H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه توین موس H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه توین موس H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس VS سامسونگ
ویژگی

توین موس H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات در حالت فعال - 3 وات در حالت Idle - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت LPDDR4 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MKX Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

توین موس VS سامسونگ
ویژگی

توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز - مک OS نسخه 10.1 و بالاتر - لینوکس هسته 2.4 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد - 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی خاکستری، رزگلد -
وزن محصول - 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 120 مگابایت بر ثانیه 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 155 مگابایت بر ثانیه 88,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) SMI Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

توشیبا VS سامسونگ
ویژگی

توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - NTFS - 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - SATA
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 19.5 × 78 × 109 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 2175 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی - 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه دیتاپلاس DP800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه دیتاپلاس DP800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه دیتاپلاس DP800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

داهوا VS سامسونگ
ویژگی

دیتاپلاس DP800 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T -
قابلیت پشتیبانی از TRIM -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد - 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 400 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی P500 USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A با طول 17 سانتی‌متر - تبدیل USB Type-A به USB Type-C - دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر - مک - اندروید -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - قابل نگهداری و استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 20 تا 95 درصد -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
شیوه اتصال Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 10 × 53.9 × 79.1 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، نقره‌ای، آبی، قرمز -
مواد بدنه آلومینیوم -
وزن محصول 45.4 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 1.8 وات در حالت خواندن - 2 وات در حالت نوشتن - 1 وات در حالت Idle - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 6,500IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 10,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 70 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 60 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 380 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 110 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 5 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM3350 Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 860QVO SATA 2.5 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 2.1 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت آماده باش - 3 میلی‌وات در حالت DevSlp - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 96,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 89,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 360 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 4-bit MLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1GB LPDDR4 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 5 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MJX Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا VS سامسونگ
ویژگی

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 -
مجوزها و تاییدیه‌ها - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - SATA
شیوه اتصال Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1 -
اندازه و ابعاد 15.2 × 80 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، آبی، قرمز -
مواد بدنه پلاستیک -
وزن محصول 60 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 440 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 430 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) Maxio Technology MAS0902A Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی مقاوم در برابر لرزش -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 7 × 69.9 × 100.1 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 1.65 وات در حالت خواندن - 1.8 وات در حالت نوشتن - 0.48 وات در حالت Idle - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 65,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 76,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن C100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 7 × 69.9 × 100.1 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 59 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 1.25 وات در حالت خواندن - 1.28 وات در حالت نوشتن - 0.3 میلی‌وات در حالت آماده باش - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 435 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه