1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 17

صفحه 17 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت GP-GSM2NE8256GNTD NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - قابلیت نمایش دمای حافظه - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.3 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم
میزان توان مصرفی - 2.2 وات در حالت خواندن - 2.1 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت Idle - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 150,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) NAND Flash Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت / 1 آمپر 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ
ویژگی

وسترن دیجیتال Black SN750 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ -
مجوزها و تاییدیه‌ها UL, TUV, CE, BSMI, FCC, KCC, RCM, Morocco, VCCI CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 7.5 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 70 میلی‌وات به صورت میانگین - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 420,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 380,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,750,000 ساعت (MTTF) - 300 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) SanDisk 64-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3430 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2600 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM SK Hynix DDR4 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 2.8 آمپر 5 ولت
کنترلر (Controller) WD NVMe Architecture Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه وسترن دیجیتال Black SN850X NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه وسترن دیجیتال Black SN850X NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه وسترن دیجیتال Black SN850X NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ
ویژگی

وسترن دیجیتال Black SN850X NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار پشتیبانی از ویندوز 8.1 به بالا -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - سازگار با PlayStation® 5 - نرم‌افزار WD Black SSD Dashboard با پشتیبانی از حالت گیمینگ -
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 5.5 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1200,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 1100,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1200 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 85 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7300 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6600 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سیگیت VS سامسونگ
ویژگی

سیگیت FireCuda 530 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.23 × 22.15 × 80.16 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 5.8 وات در حالت فعال - 0.014 وات در حالت Idle - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 700,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS 5000E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.3 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم
میزان توان مصرفی - 4 وات در حالت خواندن - 4 وات در حالت نوشتن - 20 میلی‌وات در حالت Idle - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 7.68 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 7.68 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 7.68 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ PM1643a SATA 2.5 Inch ظرفیت 7.68 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12.0 Gbps SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS SATA
اندازه و ابعاد - 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 160 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 7.68 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) Native SAS 3.0 Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

کینگ مکس VS سامسونگ
ویژگی

کینگ مکس PX4480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5ms - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 8.5 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

لکسار VS سامسونگ
ویژگی

لکسار NS100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 88,000IOPS
طول عمر متوسط 256 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اچ پی S700 Pro SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اچ پی S700 Pro SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اچ پی S700 Pro SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

اچ پی VS سامسونگ
ویژگی

اچ پی S700 Pro SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 3.1G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 100G/6 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) - نرم‌افزار HP Storage Data Migration Utilities -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, CB, FCC, cTUVus, KCC, BSMI, VCCI, RoHS, RCM CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 6.7 × 69.8 × 100 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 50 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.58 وات در حالت Idle - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 2,000,000 ساعت (MTTF) - 165 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 384Gbit 32-Layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 256 مگابایت 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258 Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

لکسار VS سامسونگ
ویژگی

لکسار NM610 NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 110,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 151,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 125 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 250 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه اپیسر AST280 SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه اپیسر AST280 SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه اپیسر AST280 SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ایسر VS سامسونگ
ویژگی

اپیسر AST280 SATA M.2 ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS, CE, FCC, VCCI, RCM, BSMI CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 3.8 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 6.3 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - 1.4 وات در حالت فعال - 0.3 وات در حالت آماده باش - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 84,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 140 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 480 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 495 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش - بهینه ساز مصرف انرژی - نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.3 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم
میزان توان مصرفی - 2.67 وات در حالت خواندن - 3.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه