1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا
ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول - 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ایکس پی جی
ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 11 گرم
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول - 98 گرم
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS گیگابایت
ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم -
میزان توان مصرفی 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 60,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 240,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS گیگابایت
ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 370,000IOPS 60,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 240,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS گیگابایت
ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 60,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 240,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS لکسار
ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - DM620
مشاهده جزئیات مقایسه