مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E26
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 7300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 6000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 1275 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 6.5 وات * حالت فعال ** 0.016 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA RoHS
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
وزن محصول - 47 گرم

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3- bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM - 512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667
وزن محصول - 7.7 گرم

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 260 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 10 * 80 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 168 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA CE, FCC, VCCI,RCM
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM928
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت / 1.6 آمپر
وزن محصول - 34 گرم

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 35 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA
رنگ‌بندی مشکی، سفید -
اندازه و ابعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم -
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 60,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 240,000IOPS
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 720 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 60,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 240,000IOPS
میزان توان مصرفی - 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA -
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 1GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر
وزن محصول - 86 گرم

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 1,000,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA RoHS
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
وزن محصول - 47 گرم

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 64L 3D TLC NAND 3D NAND
کنترلر (Controller) Silicon Motion SM2258XT -
نرخ خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 1500 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA
اندازه و ابعاد 9 * 95 * 125 میلی‌متر 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 70 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 60,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 240,000IOPS
میزان توان مصرفی - 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS 88,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.5 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت Idle ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung MKX
نوع حافظه DRAM - 2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
وزن محصول - 46 گرم

مقایسه گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

گیگابایت Gen3 2500E NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 960 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 60,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 240,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 (MTBF) ساعت 336 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 2.67 وات * حالت خواندن ** 3.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش ** بهینه ساز مصرف انرژی ** نرم‌افزار SSD Tool Box مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS / CE / FCC / ICC / UK CA CE, FCC, VCCI,RCM
اندازه و ابعاد 2.3 * 22 * 80 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - DM928
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت / 1.6 آمپر
وزن محصول - 34 گرم