نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 500 گیگابایت | 2 ترابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | Micron 96L TLC |
کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | Phison E13T |
نرخ خواندن ترتیبی | 3400 مگابایت بر ثانیه | 2400 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 2300 مگابایت بر ثانیه | 1900 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 370,000IOPS | - |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 450,000IOPS | - |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | 3.3 ولت |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) | - 1,500,000 ساعت (MTTBF) - 600 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلیوات در حالت DevSlp | - |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 2.4 × 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 8 گرم | 20 گرم |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | - |
---|
مجوزها و تاییدیهها | - | CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟