نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 512 گیگابایت | 1 ترابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D NAND | Samsung V-NAND 3-bit MLC |
نرخ خواندن ترتیبی | 7400 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 6800 مگابایت بر ثانیه | 3300 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 750,000IOPS | 600,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 750,000IOPS | 550,000IOPS |
حافظه DRAM | ندارد | دارد |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
طول عمر متوسط | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW) | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) |
کنترلر (Controller) | - | Samsung Phoenix |
نوع حافظه DRAM | - | 1 گیگابایت LPDDR4 |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | - | 3.3 ولت |
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 |
مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC | - |
---|
اندازه و ابعاد | - 3.3 × 22 × 80 میلیمتر (بدون هیتسینک) - 4.3 × 22 × 80 میلیمتر (با هیتسینک) | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | - 7 گرم (بدون هیتسینک) - 10 گرم (با هیتسینک) | 8 گرم |
میزان توان مصرفی | - | - 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلیوات در حالت Idle |
---|
نشانگر وضعیت LED | - | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟