صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر 6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول - 11 گرم
میزان توان مصرفی - 275 میلی‌آمپر در حالت فعال - 80 میلی‌آمپر در حالت Idle - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 92,160IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 240 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 15nm 64-layer 3D TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 880 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت DDR3L-1600 DDR3L
کنترلر (Controller) Phison PS5008-E8 SMI SM2262EN

مقایسه اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - - کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - - ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر 9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول - 52 گرم
میزان توان مصرفی - 275 میلی‌آمپر در حالت فعال - 80 میلی‌آمپر در حالت Idle -
حافظه DRAM
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 92,160IOPS -
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 240 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 15nm 64-layer 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 880 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت DDR3L-1600 -
کنترلر (Controller) Phison PS5008-E8 -

مقایسه اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 275 میلی‌آمپر در حالت فعال - 80 میلی‌آمپر در حالت Idle - 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 92,160IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 240 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 15nm 64-layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 880 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت DDR3L-1600 LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison PS5008-E8 Samsung Phoenix Controller

مقایسه اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 275 میلی‌آمپر در حالت فعال - 80 میلی‌آمپر در حالت Idle - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 92,160IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 240 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 15nm 64-layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 880 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت DDR3L-1600 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison PS5008-E8 Samsung In-House Controller

مقایسه اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 275 میلی‌آمپر در حالت فعال - 80 میلی‌آمپر در حالت Idle - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 92,160IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 240 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 15nm 64-layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 880 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت DDR3L-1600 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison PS5008-E8 Samsung Phoenix

مقایسه اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم
میزان توان مصرفی - 275 میلی‌آمپر در حالت فعال - 80 میلی‌آمپر در حالت Idle - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 92,160IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 240 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 15nm 64-layer 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 880 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت DDR3L-1600 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) Phison PS5008-E8 Samsung MKX

مقایسه اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اپیسر AS2280P2 NVMe M.2 ظرفیت 240 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI, BSMI, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x2 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
میزان توان مصرفی - 275 میلی‌آمپر در حالت فعال - 80 میلی‌آمپر در حالت Idle -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 92,160IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 240 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 15nm 64-layer 3D TLC NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 240 گیگابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1550 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 880 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 مگابایت DDR3L-1600 -
کنترلر (Controller) Phison PS5008-E8 DM620