صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2230	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 30 میلی‌متر	6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	3.2 گرم	11 گرم
میزان توان مصرفی	- 75 میلی‌وات در حالت فعال - 5 میلی‌وات در حالت خواب	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	170,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	-	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS خودروسازی دی اس

ویژگی	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	-	- کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES	CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2230	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 30 میلی‌متر	9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی	-	مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	3.2 گرم	52 گرم
میزان توان مصرفی	- 75 میلی‌وات در حالت فعال - 5 میلی‌وات در حالت خواب	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	170,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTBF)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS لکسار

ویژگی	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2230	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 30 میلی‌متر	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول	3.2 گرم	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 75 میلی‌وات در حالت فعال - 5 میلی‌وات در حالت خواب	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	170,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	-	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2230	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 30 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	3.2 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 75 میلی‌وات در حالت فعال - 5 میلی‌وات در حالت خواب	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	170,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2230	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 30 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	3.2 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 75 میلی‌وات در حالت فعال - 5 میلی‌وات در حالت خواب	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	170,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES	-
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2230	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 30 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	3.2 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 75 میلی‌وات در حالت فعال - 5 میلی‌وات در حالت خواب	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	170,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPTPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 5.0G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2230	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 30 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول	3.2 گرم	45 گرم
میزان توان مصرفی	- 75 میلی‌وات در حالت فعال - 5 میلی‌وات در حالت خواب	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	170,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	120,000IOPS	88,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	950 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	5 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung MKX

مشاهده جزئیات مقایسه