صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 3.2 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی 75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 170,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 950 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES -
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 3.2 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 170,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 950 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix Controller

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 2242
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 3.2 گرم
میزان توان مصرفی 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 370,000IOPS 170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 120,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 1,750,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 950 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 3.2 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 170,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 950 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung In-House Controller

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 M.2 2242
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 3.2 گرم
میزان توان مصرفی - 75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 256,000IOPS 120,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW) 1,750,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 950 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) DM620 -

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 3.2 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی 75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 170,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 950 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال PC SN530 SDBPMPZ-256G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها UL, TUV, FCC, BSMI, CE, KCC, RCM, Morocco, VCCI and CAN ICES CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه M.2 2242 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 3.2 گرم 52 گرم
میزان توان مصرفی 75 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت خواب -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 170,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 120,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,750,000 (MTBF) ساعت -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2400 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 950 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -