صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B) CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 6.46 گرم 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 0.08 وات * حالت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 37,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTTF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 545 گیگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 435 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B)
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 6.46 گرم
میزان توان مصرفی - 0.08 وات * حالت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 256,000IOPS 63,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTTF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 120 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 545 گیگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 435 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) DM620 -

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B)
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 6.46 گرم
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 0.08 وات * حالت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 63,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,000,000 (MTTF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 120 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 545 گیگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 435 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller -

مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B) -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.46 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 0.08 وات * حالت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 37,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTTF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 545 گیگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 435 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix Controller

مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B) -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 6.46 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 0.08 وات * حالت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 37,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTTF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 545 گیگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 435 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B) CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SATA -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 6.46 گرم 52 گرم
میزان توان مصرفی 0.08 وات * حالت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 37,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTTF) ساعت -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 545 گیگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 435 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه

مقایسه وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Green WDS120G2G0B SATA M.2 ظرفیت 120 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی پشتیبانی از SLC Cache برای افزایش سرعت نوشتن ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, Morocco, RCM, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B) CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SATA
اندازه و ابعاد 1.5 * 22 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 6.46 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی 0.08 وات * حالت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 0.01 وات * حالت DevSlp 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 37,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 63,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1,000,000 (MTTF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 120 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 545 گیگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 435 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung MKX