مقایسه
سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
با
اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
مقایسه
سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
با
اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
مقایسه ویژگی ها
| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیره‌سازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 3.0 x4 / NVMe |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 500 گیگابایت | 512 گیگابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D TLC NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | - |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3400 مگابایت بر ثانیه | 3500 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 2300 مگابایت بر ثانیه | 3000 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی داده‌ها | 370,000IOPS | - |
| سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها | 450,000IOPS | - |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد | - |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | 3.3 ولت |
| طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) | - |
| میزان توان مصرفی | - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp | - |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
| اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر | 2.4 × 22 × 80 میلی‌متر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 8 گرم | - |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
شما چه امتیازی می دهید؟
