صفحه 3 از مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

کینگ اسپک MT-XXX mSATA ظرفیت 64 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL mSATA
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3D MLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 87 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 3.5 * 30 * 50.8 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 41 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - منفی 20 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

کینگ اسپک T-XXX SATA 2.5 Inch ظرفیت 64 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 64 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND SLC
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 55,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 59,000IOPS
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle 1.8 وات * حالت فعال ** 0.35 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 7 * 69.8 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 68 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه XP و بالاتر ** لینوکس

مقایسه پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL -
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 890 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 880 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 10.9 * 57.15 * 63.5 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, REACH, RoHS
مواد بدنه - آلومینیوم
محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A ** 1 عدد کابل Type-C به Type-C

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 90.000IOPS
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 4800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase -
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 62 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Samsung MJX
نوع حافظه DRAM - 4 MB LPDDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مقایسه گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

گیگابایت AORUS Gen4 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND Toshiba BiCS4 96-Layers 3‎D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 4400 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 700,000IOPS
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,770,000 ساعت (MTBF) ** 1800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle 6.6 وات * حالت خواندن ** 6.4 وات * حالت نوشتن ** 18.8 میلی‌وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase دارای هیت‌سینک از جنس مس ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** نرم‌افزار SSD Tool Box
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 11.25 * 23.5 * 80.5 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison PS5016-E16
نوع حافظه DRAM - 1 MB DDR4
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

تیم گروپ T-Force CARDEA Zero Z340 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND Micron 96L TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 300,000IOPS
حافظه DRAM false true
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase -
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 3.7 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Phison E12S
نوع حافظه DRAM - DDR3L
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه ویستا و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

وسترن دیجیتال Blue SN570 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 360,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 390,000IOPS
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTTF) ** 300 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 6.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانیتگراد
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, ** RCM, TUV, UL, VCCI

مقایسه کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

کورسیر MP700 PRO Heatsink NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 5.0 x4
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 12400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 11800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 1,500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 1,600,000IOPS
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle 11.5 W
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase مقاوم در برابر ضربه تا 1500G
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر -
وزن محصول 210 گرم 11 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10، 11 ** مک OS X

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND Toshiba 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3115 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 6.6 گرم
نشانگر وضعیت LED false -
کنترلر (Controller) - Phison PS5012-E12
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
فناوری رمزنگاری - AES 128-bit
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

سامسونگ PM9B1 NVMe M.2 2242 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe Gen4 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL M.2 2242
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 940 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase -
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 2.3 * 22 * 42 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 3.9 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتیگراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت

مقایسه کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C910 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 4.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3700 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 350 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018 ** پشتیبانی از SLC Cache ** پشتیبانی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 3.40 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت سینک) ** 2.15 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت سینک)
وزن محصول 210 گرم 10 گرم (با هیت سینک) ** 7 گرم (بدون هیت سینک)
نشانگر وضعیت LED false -

مقایسه کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

کلو CRAS C710 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1650 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase پشتیبانی از SLC Cache ** قابلیت پایش دمای حافظه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار Acronis True Image HD 2018
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 2.2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 7 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - SMI SM2263XT
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, BSMI