صفحه 3 از مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۷.۶۸ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۵۰۰۰۰۰ IOPS 130,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۱۵۱.۳ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 رمزگذاری خودکار 1 ترابایت iStorage Kanguru Defender SED30

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۰۰۰۰۰۰ IOPS 130,000IOPS
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ میلی‌متر * ۸۰ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۱۴ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۴ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 130,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 6.4 ترابایت
اندازه و ابعاد ۲.۵" 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی - 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
وزن محصول - 210 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۱۵۰۰۰۰ IOPS 130,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۷.۳ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVOبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه PCI Express ۳.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 210 گرم
رنگ‌بندی مشکی -
مجوزها و تاییدیه‌ها RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVOبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۰۰ 2,000,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد ۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
مجوزها و تاییدیه‌ها Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA -
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
وزن محصول - 210 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۹۶۰ گیگابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۱۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 130,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
نرخ خواندن ترتیبی - 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
وزن محصول - 210 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲۴۰ گیگابایت 6.4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۶۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۵ V -
اندازه و ابعاد 2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۳۸.۲ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۴۷۵۰۰ IOPS 130,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
نرخ خواندن ترتیبی - 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
وزن محصول - 210 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe Yes
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL -
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND ۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS ۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase -
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول 210 گرم ۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
رنگ‌بندی - Black, Green

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false