صفحه 4 از مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	۸ گرم	210 گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	-
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	-
میزان ظرفیت حافظه	6.4 ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND	QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	5600 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase	-
اندازه و ابعاد	14 × 69 × 100 ميلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	210 گرم	۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	-
میزان ظرفیت حافظه	6.4 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	5600 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase	-
اندازه و ابعاد	14 × 69 × 100 ميلی‌متر	M.۲
وزن محصول	210 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

Samsung VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	-
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	-
میزان ظرفیت حافظه	6.4 ترابایت	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	5600 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	-
میزان توان مصرفی	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase	-
اندازه و ابعاد	14 × 69 × 100 ميلی‌متر	۲.۵"
وزن محصول	210 گرم	۵۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

کینگستون VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	6.4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۴۸۰	2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	۷ گرم	210 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

کلیو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	130,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	2,000,000 (MTBF) ساعت
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	۱۰ گرم	210 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ای‌دیتا VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰۰۰ IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۶۵۰۰۰۰ IOPS	130,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۸۰	2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر)	14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	۱۲ گرم	210 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

گیگابایت VS Samsung

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	14 × 69 × 100 ميلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
وزن محصول	-	210 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	6.4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۶۰۰۰ IOPS	130,000IOPS
اندازه و ابعاد	M.۲	14 × 69 × 100 ميلی‌متر
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۲.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND
حافظه DRAM	-	false
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
وزن محصول	-	210 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

لنوو VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	6.4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	1800 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)	14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	۷.۲ گرم	210 گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kitبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

اچ پی VS Samsung

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت
وزن محصول	۱۶۴ گرم	210 گرم
اندازه و ابعاد	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر	14 × 69 × 100 ميلی‌متر
محتویات جعبه	Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه	-	HHHL
میزان ظرفیت حافظه	-	6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	-	5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
طول عمر متوسط	-	2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی	-	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

Samsung VS سی‌گیت

ویژگی	سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	HHHL	-
میزان ظرفیت حافظه	6.4 ترابایت	۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	5600 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1800 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase	-
اندازه و ابعاد	14 × 69 × 100 ميلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	210 گرم	۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه