1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 210 گرم 98 گرم
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND -
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS ای دیتا
ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 210 گرم 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS ایکس پی جی
ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase -
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS خودروسازی دی اس
ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 210 گرم 52 گرم
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND -
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت
VS
مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ
ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ HHHL
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 210 گرم
میزان توان مصرفی 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 130,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 6.4 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX -
مشاهده جزئیات مقایسه