مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

پی ان وای CS3140 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 HHHL
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 7500 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6850 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS -
اندازه و ابعاد 20.5 * 22.8 * 80.4 میلی‌متر (با پوشش حرارتی) ** 4 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون پوشش حرارتی) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 45 گرم (با پوشش حرارتی) ** 6.6 گرم (بدون پوشش حرارتی) 210 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 HHHL
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 200,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 350,000IOPS 130,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 210 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ HHHL
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 2-bit MLC Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100.000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90,000IOPS 130,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2 وات * حالت خواندن ** 2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2 میلی‌وات * حالت DevSlp 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.8 × 100 ميلی‌متر 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 51 گرم 210 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase

مقایسه کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 HHHL
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 580 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
وزن محصول - 210 گرم

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 HHHL
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 130,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 5.4 وات * حالت خواندن ** 4.4 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 210 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ HHHL
میزان ظرفیت حافظه 240 MB 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) 2Ch -
نرخ خواندن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 350 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 80 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 0.279 وات به صورت میانگین ** 0.642 وات * حالت خواندن ** 1.535 وات * حالت نوشتن ** 0.195 وات * حالت آماده باش 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش و ضربه ** مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
اندازه و ابعاد 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 41 گرم 210 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS

مقایسه ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

ای دیتا SC685 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 35 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS -
رنگ‌بندی مشکی، سفید -
اندازه و ابعاد 9.5 * 54.8 * 84.7 میلی‌متر 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 210 گرم
نشانگر وضعیت LED true false
محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** تبدیل USB Type-A به USB Type-C ** دفترچه راهنما -
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false

مقایسه سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2 PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 HHHL
میزان ظرفیت حافظه 250 MB 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3- bit MLC Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) Samsung Polaris -
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1500 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 330,000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 300,000IOPS 130,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 512MB LP DDR3 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 5.3 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 7.7 گرم 210 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase

مقایسه لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

لکسار NQ100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ HHHL
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 3D QLC NAND Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) DM928 -
نرخ خواندن ترتیبی 550 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت / 1.6 آمپر -
طول عمر متوسط 168 (TBW) ترابایت 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, VCCI,RCM -
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 34 گرم 210 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle

مقایسه پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

پی ان وای CS3040 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 HHHL
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4300 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM true false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 3600 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز 7 و بالاتر -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** نرم‌افزار PNY PCIe SSD Toolbox الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI, KCC -
اندازه و ابعاد 4 * 22 * 80 میلی‌متر 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 6.6 گرم 210 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle

مقایسه سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ HHHL
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 2-bit MLC Samsung V-NAND
کنترلر (Controller) Samsung MJX -
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100.000IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 90.000IOPS 130,000IOPS
حافظه DRAM true false
نوع حافظه DRAM 2 MB LPDDR4 -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
اندازه و ابعاد 6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول 62 گرم 210 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

تیم گروپ VULCAN Z SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TWB)
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** پشتیبانی از کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 210 گرم 45 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر