صفحه 2 از مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایتبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

ویژگی

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

نوع کاربری حافظه اینترنال بازی؛ لپ‌تاپ
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe PCIe Gen4 x4؛ NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه HHHL فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 6.4 ترابایت 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND TLC 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 5600 مگابایت بر ثانیه 7,250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1800 مگابایت بر ثانیه 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 1,000,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
میزان توان مصرفی 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase نرم‌افزار WD_BLACK Dashboard (فقط ویندوز)؛ تا 100% بهره‌وری انرژی بیشتر نسبت به نسل قبل؛ تا 35% عملکرد سریع‌تر نسبت به نسل قبل
اندازه و ابعاد 14 × 69 × 100 ميلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 210 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - M.2 NVMe PCIe Gen4
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows (برای عملکرد داشبورد)

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۳۲۰ 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۱۲ گیگابایت 6.4 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۶.۵ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی - 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 6.4 ترابایت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۹ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی - 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
طول عمر متوسط - 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS 130,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۷.۷ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۸۲۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۲۸۰۰۰ IOPS 130,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی No PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
نرخ خواندن ترتیبی - 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
وزن محصول - 210 گرم
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND TLC Samsung V-NAND
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۷۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۱۰۰۰ IOPS 130,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۷۰ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
نرخ خواندن ترتیبی - 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - 1800 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)با سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۱.۹۲ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D TLC NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۴۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۷۸۰۰۰ IOPS 130,000IOPS
طول عمر متوسط ۳۵۰۴ 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۶۹ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
فناوری رمزنگاری No -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۵۰۰ گیگابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۶۰ 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۲.۶ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
میزان ظرفیت حافظه ۲۵۰ گیگابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۲۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۸ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه Serial ATA III PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۶۴۰ 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۲.۸ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

ویژگی

اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe

سامسونگ PM1725b NVMe M.2 ظرفیت 6.4 ترابایت

فناوری رمزنگاری Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۳.۸۴ ترابایت 6.4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D eTLC Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه 5600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه 1800 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۲۷۰۰۰۰۰ IOPS 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۳۰۰۰۰۰ IOPS 130,000IOPS
طول عمر متوسط ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد -
اندازه و ابعاد U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر) 14 × 69 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول ۱۴۶.۲ گرم 210 گرم
پورت اتصال حافظه PCI Express ۵.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
طراحی و ابعاد دستگاه - HHHL
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 23 وات * حالت فعال ** 7 وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم خطایابی Instant Secure Erase
نشانگر وضعیت LED - false