صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 14.8 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 160 گرم 7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی 13.5 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS 750,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 64-Layer TLC V-NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 512 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ** 12 ولت -

مقایسه سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - کابل USB-C به USB-C ** کابل USB-C به USB-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8 به بالا ** مک OS X 10.6 به بالا ** لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SAS -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 14.8 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول 160 گرم 31 گرم
میزان توان مصرفی 13.5 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 64-Layer TLC V-NAND -
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ** 12 ولت 5 ولت

مقایسه سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 14.8 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 160 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی 13.5 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت آماده باش 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 64-Layer TLC V-NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ** 12 ولت -
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

مقایسه سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SAS PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 14.8 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 160 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 13.5 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت آماده باش 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 64-Layer TLC V-NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ** 12 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SAS 12Gb/s -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه SAS -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 14.8 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 160 گرم 52 گرم
میزان توان مصرفی 13.5 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 400,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 70,000IOPS -
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung 64-Layer TLC V-NAND -
میزان ظرفیت حافظه 960 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 2100 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ** 12 ولت -

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s SAS 12Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA SAS
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 14.8 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 160 گرم
میزان توان مصرفی 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 13.5 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 70,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung 64-Layer TLC V-NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 5 ** 12 ولت
کنترلر (Controller) Samsung MKX -

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ PM1643 MZ-ILT9600 SAS 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC)
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SAS 12Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SAS
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 14.8 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 160 گرم
میزان توان مصرفی 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 13.5 وات * حالت فعال ** 5 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 370,000IOPS 400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 70,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Samsung 64-Layer TLC V-NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 2100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ** 12 ولت
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix -