صفحه 3 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۳.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	۴۴۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	M.۲
وزن محصول	۹ گرم	۹ گرم
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMeبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۴۸۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۷ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, RoHS	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

سامسونگ VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۲۵۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۸ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	۱ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	Yes
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB1M86954	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲۳ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۲ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E19T	-
نرخ خواندن ترتیبی	3600 مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 3.4 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

فیلیپس VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال فیلیپس FM24SS120B/00	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۶۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۵ V	۳.۳ V
اندازه و ابعاد	2.5" (۱۰۰ * ۷ * ۷۰ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۳۸.۲ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۸ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	سامسونگ PM9A1 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Samsung TLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	800,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	۹ گرم	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	S4LV003
حافظه DRAM	-	true
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 Pro NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1000,000IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 2 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 10.5 وات هنگام استفاده ** 45 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M480 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E18	-
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	2 MB DDR4	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 8.2 وات هنگام استفاده ** 22 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	Yes
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	9.7 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۵۰۰ گیگابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۶۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۲.۶ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه