صفحه 4 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	۱۹۵۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	۱۲ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۲۰۵ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۳ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 7.68 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
میزان ظرفیت حافظه	۷.۶۸ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۰۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۵۰۰۰۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۵۱.۳ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E26	-
نرخ خواندن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	10000 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,400,000IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,500,000IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	true	-
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	حداکثر 11 وات هنگام استفاده	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
اندازه و ابعاد	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMeبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی سازمانی کینگستون 3.84 ترابایت DC3000ME U.2 PCIe 5.0 NVMe	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D eTLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۷۰۰۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۳۰۰۰۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	U.2 (۶۹.۸ * ۱۰۰.۵ * ۱۴.۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۴۶.۲ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل PM883
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۳.۸۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	-
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	۳۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	۲.۵"
وزن محصول	۹ گرم	۵۸ گرم
رنگ‌بندی	-	مشکی

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۷ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۵۱۲ گیگابایت	۱ ترابایت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۶.۵ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	۱ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVOبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲۵۰ گیگابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۸ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۲۴۰ گیگابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۲۵۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۷۸۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۶۰۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
اندازه و ابعاد	M.۲	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۲.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

برند نامشخص VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI818	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۲۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۵ گرم	۹ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه