مقایسه Samsung 990 PRO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه با Samsung 990 PRO

ویژگی

Samsung 990 PRO

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
شیوه اتصال -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
وزن محصول - ۹ گرم
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه با Samsung 990 PRO

ویژگی

Samsung 990 PRO

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
شیوه اتصال -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC
کنترلر (Controller) -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
وزن محصول - ۹ گرم
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه با Samsung 990 PRO

ویژگی

Samsung 990 PRO

نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
شیوه اتصال -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC
کنترلر (Controller) -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
میزان توان مصرفی -
وزن محصول - ۹ گرم
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه Samsung 990 PROبا

ویژگی

Samsung 990 PRO

اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول ۹ گرم
نوع کاربری حافظه اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true
فناوری رمزنگاری Yes
شیوه اتصال -
حافظه DRAM -
کنترلر (Controller) -
قابلیت پشتیبانی از NCQ -
سیستم‌عامل‌های سازگار -
قابلیت‌های جانبی -
رنگ‌بندی -
محتویات جعبه -
طراحی و ابعاد دستگاه -
میزان توان مصرفی -

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا Samsung 990 PRO

ویژگی

ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

Samsung 990 PRO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND V-NAND MLC
کنترلر (Controller) PHISON E21T -
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4500 مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 950,000IOPS ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتیگراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت‌های جانبی کدینگ LPDC ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها -
اندازه و ابعاد 2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED false -
وزن محصول - ۹ گرم
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه Kingston Technology 2000G NV3 M.2 2230 NVMe SSDبا Samsung 990 PRO

ویژگی

Kingston Technology 2000G NV3 M.2 2230 NVMe SSD

Samsung 990 PRO

اندازه و ابعاد 2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر) M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول ۲.۸ گرم ۹ گرم
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط ۶۴۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه Samsung 990 PROبا Seagate BarraCuda Q1

ویژگی

Samsung 990 PRO

Seagate BarraCuda Q1

اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۹ گرم ۴۰ گرم
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes -
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS -
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری Yes -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSDبا Samsung 990 PRO

ویژگی

HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit SSD

Samsung 990 PRO

اندازه و ابعاد PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر) M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول ۹ گرم ۹ گرم
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC V-NAND MLC
محتویات جعبه HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card -
پورت اتصال حافظه - PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - Yes
نرخ خواندن ترتیبی - ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی - ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط - ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - Yes

مقایسه Klevv CRAS C910Gبا Samsung 990 PRO

ویژگی

Klevv CRAS C910G

Samsung 990 PRO

اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر) M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول ۱۰ گرم ۹ گرم
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3‎D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۵۶۰۰۰۰ IOPS ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۶۱۵۰۰۰ IOPS ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۴۰۰ ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری Yes Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE -
محدوده دمای عملیاتی - ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true

مقایسه Samsung 990 PROبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

Samsung 990 PRO

توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر) -
وزن محصول ۹ گرم -
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه 2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه 1832 مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS 260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS 270,000IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V 3.3 ولت
قابلیت پشتیبانی از TRIM true -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری Yes -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
کنترلر (Controller) - SMI
حافظه DRAM - false
قابلیت پشتیبانی از NCQ - true
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 2000 و بالاتر ** مک نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED - false

مقایسه Samsung 990 PROبا Seagate FireCuda 120

ویژگی

Samsung 990 PRO

Seagate FireCuda 120

اندازه و ابعاد M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر) 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول ۹ گرم ۵۰ گرم
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes No
میزان ظرفیت حافظه ۱ ترابایت ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) V-NAND MLC ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۴۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
فناوری رمزنگاری Yes -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS

مقایسه Predator SSD GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4*4 2TBبا Samsung 990 PRO

ویژگی

Predator SSD GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4*4 2TB

Samsung 990 PRO

اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر) M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول ۷ گرم ۹ گرم
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes Yes
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت ۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی ۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه ۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه ۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها ۹۲۵۰۰۰ IOPS ۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها ۹۷۴۰۰۰ IOPS ۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI -
مشخصات حافظه فلش (Flash) - V-NAND MLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
قابلیت پشتیبانی از TRIM - true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - true
فناوری رمزنگاری - Yes