مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD

سامسونگ VS Sandisk

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	WD_Black SN7100 2TB NVMe SSD
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	-
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	-
شیوه اتصال	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	-
قابلیت‌های جانبی	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

Crucial VS سامسونگ

ویژگی		اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe PCIe Gen4 x4	Yes
شیوه اتصال	PCIe Gen4 NVMe	-
نرخ خواندن ترتیبی	تا 7,100 مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	تا 6,000 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron G8 NAND	V-NAND MLC
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun)	-
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
محتویات جعبه	مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
میزان ظرفیت حافظه	-	۱ ترابایت
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

KingSpec VS سامسونگ

ویژگی		اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
نوع کاربری حافظه	درایو حالت جامد داخلی	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	NVMe Gen3x4	Yes
شیوه اتصال	NVMe Gen3x4	-
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	تا 2400 مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	کنترلر اصلی با کیفیت بالا	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	بله	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	بله	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu	-
قابلیت‌های جانبی	تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری	-
اندازه و ابعاد	M.2 2280	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
محتویات جعبه	SSD، مستندات	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

Samsung VS سامسونگ

ویژگی		اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
نوع کاربری حافظه	حافظه فلش NAND	اینترنال
پورت اتصال حافظه	M.2 2280	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2	Yes
شیوه اتصال	NVMe	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7150 مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash)	آخرین حافظه NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	کنترلر با روکش نیکل	-
سیستم‌عامل‌های سازگار	کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ	-
قابلیت‌های جانبی	فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0	-
فناوری رمزنگاری		Yes
اندازه و ابعاد	M.2 2280	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
محتویات جعبه	SSD (MZ-V9S1T0B/AM)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	فرم فاکتور M.2 2280	-
میزان توان مصرفی	کارآمد	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']}$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا

سامسونگ VS Samsung

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 4.0 x4 NVMe
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	M.2 2280
نوع کاربری حافظه	اینترنال	SSD داخلی
فناوری رمزنگاری	Yes	رمزگذاری AES 256 بیتی
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	بله
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	بله
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Samsung V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	تا 7,450 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	تا 6,900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	تا 1,400 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	تا 1,550 هزار عملیات ورودی/خروجی در ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	نامشخص (TBW در ویژگی‌های خام مشخص نشده است)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 درجه سانتیگراد تا 70 درجه سانتیگراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	M.2 2280 (80 میلی‌متر × 22 میلی‌متر × 2.38 میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	تقریباً 8.0 گرم
شیوه اتصال	-	M.2 NVMe PCIe 4.0
حافظه DRAM	-	بله
کنترلر (Controller)	-	Samsung Elpis Controller
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	بله
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	Windows، macOS، Linux (با پشتیبانی NVMe)
قابلیت‌های جانبی	-	نرم‌افزار Samsung Magician، کنترل حرارتی هوشمند، سازگار با PS5
رنگ‌بندی	-	سیاه
محتویات جعبه	-	SSD، راهنمای نصب، راهنمای گارانتی
طراحی و ابعاد دستگاه	-	فرم فاکتور M.2 2280
میزان توان مصرفی	-	عملکرد بهبود یافته به ازای هر وات نسبت به 980 PRO

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

msi VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M460 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	V-NAND MLC
کنترلر (Controller)	PHISON E21T	-
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4500 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	950,000IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	4.3 وات * حالت استفاده ** 50 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	کدینگ LPDC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
اندازه و ابعاد	2.15 × 22 × 80 ميلی‌متر	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۴۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۲.۸ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	-
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۴۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kitبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

اچ پی VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 1TB PCIe-4x4 TLC Z4/Z6 Kit	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	V-NAND MLC
اندازه و ابعاد	PCI Express (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۹ گرم
محتویات جعبه	HP ZTurbo ۱TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ TLC M.۲ SSD; Heatsink; Install guide; Product Notices; Warranty Card	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
پورت اتصال حافظه	-	PCI Express ۴.۰
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910Gبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

کلیو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۵۶۰۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۶۱۵۰۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۱۰ گرم	۹ گرم
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
مجوزها و تاییدیه‌ها	UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ VS توین موس

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	توین موس NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	-
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	Micron 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	2455 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	1832 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	260,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	270,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1000 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	3.3 ولت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	-
وزن محصول	۹ گرم	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
کنترلر (Controller)	-	SMI
حافظه DRAM	-	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 2000 و بالاتر مک نسخه 10.1 و بالاتر لینوکس نسخه 2.4 و بالاتر
قابلیت‌های جانبی	-	قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, cTUVus, RoHS
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۴۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه