صفحه 2 از مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

پردیتور VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال پری دیتور مدل GM7 M.2 NVMe PCIe Gen 4x4 ظرفیت 2 ترابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۹۲۵۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۹۷۴۰۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۲ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۷ گرم	۹ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), KCC, RCM, RoHS, VCCI	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 4TB (مدل MZ-77Q4T0)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

GIGABYTE VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت NVMe M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	128 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	NAND Flash	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1100 مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	180,000IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
میزان توان مصرفی	2.6 وات * حالت خواندن ** 2.4 وات * حالت نوشتن ** 1.9 میلی‌وات * حالت Idle	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از HMB (Host Memory Buffer) ** نرم‌افزار SSD Tool box	-
اندازه و ابعاد	2.3 * 22 * 80 میلی‌متر	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	-
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	QLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	۵ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۴۶ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

برند نامشخص VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۶ گرم	۹ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90886	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۴۷۵۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۱.۹۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۲۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

برند نامشخص VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۱۵۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
وزن محصول	۷.۵ گرم	۹ گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PROبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

سامسونگ VS سی‌گیت

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	No
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	Serial ATA III
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND MLC	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت	۱۴۰۰
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	۹ گرم	۵۰ گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

لنوو VS سامسونگ

ویژگی	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	V-NAND TLC	V-NAND MLC
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۸۱۰۰۰ IOPS	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۲۸۰۰۰ IOPS	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	No	Yes
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300 {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	Yes
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO$

مقایسه اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-Vبا اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO

دِل VS سامسونگ

ویژگی	اس اس دی اینترنال DELL 960GB SAS Mixed Use 12Gbps 2.5in Hot-plug PM5-V	اس‌اس‌دی اینترنال سامسونگ مدل 990 PRO
میزان ظرفیت حافظه	۹۶۰ گیگابایت	۱ ترابایت
اندازه و ابعاد	۲.۵"	M.2 (۸۰ * ۲.۳ * ۲۲ میلی‌متر)
پورت اتصال حافظه	SAS	PCI Express ۴.۰
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	Yes
فناوری رمزنگاری	-	Yes
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	true
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	-	۷۴۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	۶۹۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	۱۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	۱۵۵۰۰۰۰ IOPS
طول عمر متوسط	-	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۳.۳ V
محدوده دمای عملیاتی	-	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
وزن محصول	-	۹ گرم

مشاهده جزئیات مقایسه