صفحه 15 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی	ایکس انرژی Gold Drive SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 16G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, CE, FCC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	35 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 8.1 و بالاتر - مک OS نسخه 10.11 و بالاتر - پلی‌استیشن 5 - پلی‌استیشن 4 پرو - پلی‌استیشن 4 با نرم‌افزار نسخه 4 و بالاتر - ایکس باکس سری S و X - ایکس باکس وان	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	14 × 62 × 118 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	115 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 35 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	ASMedia ASM2364	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کداک X100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کداک VS سامسونگ

ویژگی	کداک X100 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز XP و بالاتر - مک OS نسخه 8.6 و بالاتر - لینوکس 2.6 و بالاتر - کروم OS	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی - مقاوم در برابر ضربه - مقاوم در برابر لرزش	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	زرد	-
مواد بدنه	فلز	-
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	عرضه شده با دو کنترلر SMI یا Phison	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال My Passport USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال My Passport USB 3.1 Gen 1 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-C - آداپتور USB Type-C به USB Type-A - نرم‌افزار WD Discovery backup - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 11 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	8.89 × 55.12 × 100.08 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	خاکستری، مشکی، قرمز، قهوه‌ای، نقره‌ای	-
وزن محصول	45.7 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک OS X - لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	0.9 تا 3.6 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison S11	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS سابرنت

ویژگی	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	-
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	750,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)	3600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	Toshiba BiCS4 96L TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix Controller	Phison PS5016-E16

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کداک VS سامسونگ

ویژگی	کداک X300s NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over-Provision برای افزایش عمر حافظه - توان مصرفی پایین - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - قابلیت مدیریت Bad block	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	200,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3100 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای XLR8 CS3030 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-
فناوری رمزنگاری	AES 128-bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - بهینه‌ساز مصرف انرژی APST, ASPM, L1.2 - قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها - محافظت از داده‌ها در مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, FCC, REACH, RoHS, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	6.6 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 3115 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Toshiba 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison PS5012-E12	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 250 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای Pro Elite USB 3.1 Gen 2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	- 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C	-
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Acronis True Image Data Protection	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, REACH, RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.1 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	10.9 × 57.15 × 63.5 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم	-
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	880 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	900 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2230 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

اس کی هاینیکس VS سامسونگ

ویژگی	اس کی هاینیکس BC711 NVMe M.2 2230 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	M.2 2230	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.2 × 22 × 31 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	520,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	530,000IOPS	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3100 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix Controller	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

OCPC VS سامسونگ

ویژگی	او سی پی سی SSD SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک - لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - قابل استفاده در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد	- مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.8 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	56 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	450 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SM2258GX	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه