صفحه 27 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه لایت آن MU3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی	لایت آن MU3 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز نسخه 8.1 و بالاتر - لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, BSMI, KCC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	60 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	83,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	89,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 140 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت / 2 آمپر	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit Encryption (Class 0)	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 2.1 وات (خواندن) - 3.2 (نوشتن) - 1.5 میلی‌وات در حالت Idle	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	93,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	30,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	480 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung Metis Controller	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سیگیت VS سامسونگ

ویژگی	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	11.04 × 24.2 × 80.16 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	47 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 8.6 میلی‌وات در حالت فعال - 30 میلی‌وات در حالت PS3 Idle	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	1,000,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,800,000 ساعت (MTBF) - 5100 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7250 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6900 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ادلینک S22 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S22 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D QLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	0.9 تا 3.6 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ام جی VS سامسونگ

ویژگی	تیم گروپ VULCAN G SATA 2.5 Inch ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 و بالاتر - مک OS نسخه 10.4 و بالاتر - لینوکس هسته 2.6.33 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - پشتیبانی از کدینگ LPDC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	70,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	60,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش	- 4.3 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	470,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3100 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	2600 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گودگا 2280 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گودگا VS سامسونگ

ویژگی	گودگا 2280 SATA M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مناسب لپ‌تاپ و دسکتاپ	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE ,FCC ,RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	82 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,000,000 ساعت (MTTF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	580 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

وریتی VS سامسونگ

ویژگی	وریتی ASCEND S601 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 70 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	100 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	480 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	420 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت / 1 آمپر	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت با لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

سامسونگ VS لکسار

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	لکسار NS200 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	7 × 69.85 × 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	34 گرم
میزان توان مصرفی	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	90,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)	120 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Micron 64L TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	250 گیگابایت	240 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	510 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	Silicon Motion SM2258

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کلو VS سامسونگ

ویژگی	کلو R1 USB 3.2 Gen2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا اندروید 5 به بالا لینوکس Kernel 2.6 به بالا	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	مجهز به هیت سینک مسی پشتیبانی از نرم افزار بازیابی DoYourData الگوریتم کش SLC	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	12.1 × 38 × 107 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	پلاستیک	-
وزن محصول	66.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 850EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	54.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 3.1 وات در حالت خواندن - 3.6 وات در حالت نوشتن - 70 میلی‌وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	2GBLPDDR3	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MHX	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر - ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.8 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 3 وات در حالت خواندن - 3 وات در حالت نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت آماده باش - 2.6 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1GB LPDDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه