صفحه 26 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی	کروشیال P2 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.4 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	20 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTTBF) - 600 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E13T	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه وسترن دیجیتال PC SN730 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال PC SN730 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 30 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7.3 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	270,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	280,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3150 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار SL200 USB 3.1 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
محتویات جعبه	- کابل USB Type-C به USB Type-A - کابل USB Type-C به USB Type-C - دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.1 Gen 1	-
اندازه و ابعاد	9.5 × 60 × 86 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	40.6 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

لکسار VS سامسونگ

ویژگی	لکسار NM100 SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	38,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	51,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 75 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	128 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	9 × 95 × 125 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTTF) - 360 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ادلینک S68 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S68 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 و 8 (نیاز به درایور) و ویندوز 10 - لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	TCG OPAL3, TCG Pyrite	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.2 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 800 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ادلینک S68 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S68 NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز 7 و 8 (نیاز به درایور) و ویندوز 10 - لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر	-
فناوری رمزنگاری	TCG OPAL3, TCG Pyrite	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.5 × 22 × 80 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8.2 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	295,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 400 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	512 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2100 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	86 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 3 وات در حالت خواندن و نوشتن - 50 میلی‌وات در حالت Idle - 8 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 2,400 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	550 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	4 گیگابایت LPDDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung MJX	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	کینگستون A400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر لرزش و ضربه - مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.9 × 100 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	41 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.279 وات به صورت میانگین - 0.642 وات در حالت خواندن - 1.535 وات در حالت نوشتن - 0.195 وات در حالت آماده باش	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,000,000 ساعت (MTBF) - 40 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	320 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	2Ch	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ادلینک VS سامسونگ

ویژگی	ادلینک S20 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	- ویندوز - مک OS X - لینوکس	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم اصلاح خطا (ECC)	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 130 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	400 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	0.9 تا 3.6 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison S11	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ MZ-JPU256T/0A6 ظرفیت 256 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ MZ-JPU256T/0A6 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	80 × 22 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	256 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	-	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه کینگستون UV500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

کینگستون VS سامسونگ

ویژگی	کینگستون UV500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- مقاوم در برابر حداکثر 2.17G لرزش در حالت فعال - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال	- مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.1 میلی‌متر	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	41 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 0.5 وات به صورت میانگین - 1.17 در حالت خواندن - 2.32 در حالت نوشتن - 0.195 وات در حالت آماده باش	- 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	79,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	35,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,000,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	480 گیگابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	520 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه