صفحه 6 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا SU750 SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از SLC Cache ** مقاوم * برابر لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** نرم‌افزار SSD ToolBox ** نرم‌افزار Acronis True image HD, Disk Migration Utility
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 * 69.85 * 100.45 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 47.5 گرم
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 65,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 75,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 64L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Realtek RTS5733DMQ

مقایسه سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65 -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، آبی، سبز -
مواد بدنه پلاستیک -
وزن محصول 52 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1050 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا کروشیال MX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال MX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD
نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 AES 256-bit, Microsoft eDrive, IEEE1667, TCG Opal 2.0
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, C-Tick, VCCI, KCC RRL, RoHS, China RoHS, WEEE, TUV, UL, IC, Morocco, SATA-IO
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر ضخامت 7 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 90,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 1,800,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 5 ولت / 1.7 آمپر
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Silicon Motion SM2258

مقایسه سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

سابرنت Rocket NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 12.7 * 72.13 * 101.85 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 68 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 750,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1800 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba BiCS4 96L TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 5000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 4400 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison PS5016-E16 Samsung Phoenix

مقایسه اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

اینتل 540s Series ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES یا 256 بیت AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد - 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی حداکثر 90 میلی‌وات * حالت فعال ** 50 میلی‌وات * حالت Idle 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 78,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTTF) ** 73 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانیتگراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) - Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 480 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Blue WDS100T1B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ true false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 ×69.85 × 100.5 ميلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 59.7 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 2.85 وات * حالت خواندن ** 4.40 وات * حالت نوشتن ** 70 میلی‌وات به صورت میانگین ** 52 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 6 تا 9.7 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM true true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 100,000ّIOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 80,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) BiCS3 64Layer WD 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 545 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 525 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Marvell 88SS1074 Samsung Phoenix

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS500G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Blue WDS500G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 37.4 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 2.05 وات * حالت خواندن ** 3.35 وات * حالت نوشتن ** 52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 95,000ّIOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 84,000ّIOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه بایواستار M760 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

بایواستار M760 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز ** لینوکس ** مک -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی محافظت سرتاسری از داده‌ها (E2E) -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3200 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1300 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS400T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

وسترن دیجیتال Blue WDS400T2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 4 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard ** نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco -
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 57.9 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 60 میلی‌وات به صورت میانگین ** 3 وات * حالت خواندن ** 3.8 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 95,000IOPS 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 82,000IOPS 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,750,000 (MTTF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 4 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

توین موس Hyper H2 Ultra SATA 2.5 Inch ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز ** مک OS نسخه 10.1 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.4 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
رنگ‌بندی - خاکستری، رزگلد
وزن محصول 8 گرم -
میزان توان مصرفی 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle -
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 600,000IOPS 120 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 550,000IOPS 155 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC TLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3300 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 1 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix SMI

مقایسه کداک X250s SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

کداک X250s SATA M.2 ظرفیت 128 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** الگوریتم BBM برای شناسایی و حذف خطاهای دسترسی ** قابلیت Over Provision برای افزایش سرعت نوشتن بدون کاهش راندمان ** بهینه ساز مصرف انرژی -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط 2,000,000 (MTBF) ساعت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 128 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 500 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 480 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

ای دیتا SC680 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه کابل اتصال USB Type-C به USB Type-C ** کابل اتصال USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما -
نشانگر وضعیت LED true false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر ضربه ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4 -
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, CE, KC, EAC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی - PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه - PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 10 * 61 * 86.7 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی مشکی، آبی -
وزن محصول 35 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 480 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 460 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix