صفحه 5 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, Microsoft eDrive, IEEE1667, TCG Opal 2.0	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, C-Tick, VCCI, KCC RRL, RoHS, China RoHS, WEEE, TUV, UL, IC, Morocco, SATA-IO	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.3 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI SM2260	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پی ان وای VS سامسونگ

ویژگی	پی ان وای CS900 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.3 * 69.85 * 99 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	535 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال WD_BLACK P50 Game Drive ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
سیستم‌عامل‌های سازگار	ویندوز 8.1 و بالاتر مک OS نسخه 10.11 و بالاتر پلی‌استیشن 5 پلی‌استیشن 4 پرو پلی‌استیشن 4 با نرم‌افزار نسخه 4 و بالاتر ایکس باکس سری S و X ایکس باکس وان	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	14 * 62 * 118 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	115 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	5 تا 35 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	ASMedia ASM2364	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

وسترن دیجیتال VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Red SA500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 × 69.85 × 100.2 ميلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	37.4 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	60 میلی‌وات * حالت فعال ** 2.55 وات * حالت خواندن ** 3.75 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت Slumber ** 5 تا 12 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000ّIOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	85,000ّIOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	SanDisk BiCS3 64L TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR3	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Marvell 88SS1074	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ VS خودروسازی دی اس

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Green WDS480G1G0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 × 69.85 × 100.5 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	32.6 گرم
میزان توان مصرفی	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	37,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	63,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 360 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 120 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 40 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	120 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

بلو VS سامسونگ

ویژگی	وسترن دیجیتال Blue WDS500G3B0B SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** نرم‌افزار WD SSD Dashboard	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22 × 80 ميلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	4.8 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	50 میلی‌وات * حالت فعال ** 1.8 وات * حالت خواندن ** 2.0 وات * حالت نوشتن ** 36 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 12 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	90,000ّIOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	82,000ّIOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,750,000 ساعت (MTTF) ** 200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS سامسونگ

ویژگی	سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
محتویات جعبه	کابل USB Type-C به USB Type-C کابل USB Type-C به USB Type-A دفترچه راهنما	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اکسترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	-	PCIe NVMe
شیوه اتصال	Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2	-
اندازه و ابعاد	13 * 59 * 88 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
رنگ‌بندی	مشکی، آبی، طوسی	-
وزن محصول	98 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	550,000IOPS
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	1050 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M450 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 4.5 وات هنگام استفاده ** 40 میلی‌وات * حالت Idle	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	380,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	540,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E19T	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 480 گیگابایت

سامسونگ VS وسترن دیجیتال

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	وسترن دیجیتال Green SN350 NVMe M.2 ظرفیت 480 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5ms ** نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	BSMI, CAN ICES-3(B)/NMB-3(B), CE, FCC, KCC, Morocco, RCM, TUV, UL, VCCI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	7.5 گرم
میزان توان مصرفی	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	حداکثر 3.5 وات * حالت فعال ** 5 میلی‌وات * حالت استندبای
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	170,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTTF) ** 60 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	480 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	1650 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	2400 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه