صفحه 8 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کیوکسیا VS سامسونگ

ویژگی	کیوکسیا EXCERIA SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7.20 * 70.10 * 100.45 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	45.5 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	1.6 وات * حالت فعال ** 100 میلی‌وات * حالت Idle ** 10 میلی‌وات * حالت DevSlp	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	79,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	87,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 60 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 65 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D BiCS TLC	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	555 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

دلتا VS سامسونگ

ویژگی	ماشکین DELTA NVMe M.2 ظرفیت 4 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 128/256 bitSHA160/256/512, RSA 2048	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	بهینه سازی مصرف انرژی الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) محافظت سرتاسری داده‌ها (E2E) قابلیت پایش دمای حافظه ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS, FCC, CE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.8 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	650,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	4 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	4975 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3975 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Phison E16	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 80 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	240 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 960 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	9 * 95 * 125 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 240 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	960 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2259XT	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 250 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, Microsoft eDrive, IEEE1667, TCG Opal 2.0	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, C-Tick, VCCI, KCC RRL, RoHS, China RoHS, WEEE, TUV, UL, IC, Morocco, SATA-IO	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.3 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	250 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI SM2260	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, Microsoft eDrive, IEEE1667, TCG Opal 2.0	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, C-Tick, VCCI, KCC RRL, RoHS, China RoHS, WEEE, TUV, UL, IC, Morocco, SATA-IO	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.3 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 180 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI SM2260	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
طول عمر متوسط	440 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P3 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	RoHS	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
طول عمر متوسط	220 (TBW) ترابایت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	430,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال MX500 SATA M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, Microsoft eDrive, IEEE1667, TCG Opal 2.0	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, C-Tick, VCCI, KCC RRL, RoHS, China RoHS, WEEE, TUV, UL, IC, Morocco, SATA-IO	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	7 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	5.3 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	95,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	90,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 360 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64-Layer 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	510 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	SMI SM2260	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P5 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG Opal 2.0, IEEE 1667, eDrive	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, VCCI, KC, RCM, ICES, Morocco, BSMI, Ukraine, UL, TUV, China, RoHS, WEEE	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1,800,000 ساعت (MTTF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 96L 3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	Crucial Architecture	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال P1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه کروشیال P1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کروشیال VS سامسونگ

ویژگی	کروشیال P1 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	- نرم‌افزار Acronis True Image	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, RCM, Morocco, ICES, Halogen Free, RoHS, China RoHS, NVM Express	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	250000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	250000IOPS	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1800000 ساعت (MTTF) ** 400 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	2000 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1700 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه