نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | SATA |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 | SATA 6Gb/s |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2.5 اینچ |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 1 ترابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | Samsung V-NAND 4-bit MLC |
کنترلر (Controller) | Samsung In-House Controller | Samsung MKX |
نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 560 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 3000 مگابایت بر ثانیه | 530 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 500,000IOPS | 98,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 480,000IOPS | 88,000IOPS |
حافظه DRAM | ندارد | دارد |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | 5 ولت |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 360 ترابایت (TBW) |
نوع حافظه DRAM | - | 1 گیگابایت LPDDR4 |
میزان توان مصرفی | - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلیوات در حالت Idle | - 2.1 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلیوات در حالت آماده باش - 3 میلیوات در حالت DevSlp |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 |
مجوزها و تاییدیهها | FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI | - |
---|
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 6.8 × 69.85 × 100 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 8 گرم | 46 گرم |
نشانگر وضعیت LED | - | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟