نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | SATA |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 | SATA 6Gb/s |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2.5 اینچ |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 512 گیگابایت | 4 ترابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | 3D NAND | Samsung V-NAND 2-bit MLC |
نرخ خواندن ترتیبی | 7400 مگابایت بر ثانیه | 560 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 6800 مگابایت بر ثانیه | 530 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 750,000IOPS | 100.000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 750,000IOPS | 90.000IOPS |
حافظه DRAM | ندارد | دارد |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
طول عمر متوسط | - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW) | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 4800 ترابایت (TBW) |
کنترلر (Controller) | - | Samsung MJX |
نوع حافظه DRAM | - | 4 گیگابایت LPDDR4 |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | - | 5 ولت |
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | ندارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 |
مجوزها و تاییدیهها | CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC | - |
---|
اندازه و ابعاد | - 3.3 × 22 × 80 میلیمتر (بدون هیتسینک) - 4.3 × 22 × 80 میلیمتر (با هیتسینک) | 6.8 × 69.85 × 100 ميلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | - 7 گرم (بدون هیتسینک) - 10 گرم (با هیتسینک) | 62 گرم |
میزان توان مصرفی | - | - 2.2 وات در حالت خواندن و نوشتن - 40 میلیوات در حالت آماده باش - 7 میلیوات در حالت DevSlp |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟