مقایسه
سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
با
پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
مقایسه
سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
با
پی ان وای CS2140 NVMe M.2 با ظرفیت 1 ترابایت
مقایسه ویژگی ها
| نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
|---|---|---|
| پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
| جزئیات اتصال ذخیره‌سازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 4.0 x4 / NVMe |
| طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
|---|
| میزان ظرفیت حافظه | 500 گیگابایت | 1 ترابایت |
|---|---|---|
| مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D TLC NAND |
| کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | Phison E19T |
| نرخ خواندن ترتیبی | 3400 مگابایت بر ثانیه | 3600 مگابایت بر ثانیه |
| نرخ نوشتن ترتیبی | 2300 مگابایت بر ثانیه | 3200 مگابایت بر ثانیه |
| سرعت خواندن تصادفی داده‌ها | 370,000IOPS | - |
| سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها | 450,000IOPS | - |
| حافظه DRAM | دارد | ندارد |
| نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | - |
| محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد | - |
| ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
| طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW) | - |
| میزان توان مصرفی | - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp | - |
|---|
| قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
|---|---|---|
| قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
| قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | ندارد |
| فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
| اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر | 4 × 22 × 80 میلی‌متر |
|---|---|---|
| وزن محصول | 8 گرم | - |
| نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
|---|
شما چه امتیازی می دهید؟
