صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

پایونیر VS ای دیتا

ویژگی	پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول	10 گرم	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	490,000IOPS	750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	750,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	6800 مگابایت بر ثانیه

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

پایونیر VS ای دیتا

ویژگی	پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	10 گرم	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	-	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	490,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	510,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4
کنترلر (Controller)	-	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS پایونیر

ویژگی	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	10 گرم
میزان توان مصرفی	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	490,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	550,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 MB LPDDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

لکسار VS پایونیر

ویژگی	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر	2 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	9 گرم	10 گرم
حافظه DRAM	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	300,000IOPS	490,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	256,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3300 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller)	DM620	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پایونیر VS سامسونگ

ویژگی	پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	-	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	490,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	500,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

پایونیر VS سامسونگ

ویژگی	پایونیر APS-SE20G NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	10 گرم	8 گرم
میزان توان مصرفی	-	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	490,000IOPS	370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	450,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	3000 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه