صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - - کابل USB Type-C به USB Type-C - کابل USB Type-C به USB Type-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - سازگار با محصولات AMD با استاندارد PCIe 4.0 - قابلیت انتخاب بین 2 محافظ حرارتی آلومینیومی و گرافین - نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software - دارای استاندارد IP65 مقاومت در برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 13 × 59 × 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 25 گرم 98 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS -
طول عمر متوسط 2000 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
کنترلر (Controller) InnoGrit IG5236 -

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - - کابل USB نوع C به USB نوع C - تبدیل USB نوع C به USB نوع A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر - ویندوز نسخه 8 و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - سازگار با محصولات AMD با استاندارد PCIe 4.0 - قابلیت انتخاب بین 2 محافظ حرارتی آلومینیومی و گرافین - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G - مقاوم در برابر حداکثر 5G لرزش - دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 9.6 × 52.5 × 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 25 گرم 52 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS -
طول عمر متوسط 2000 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC -
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
کنترلر (Controller) InnoGrit IG5236 -

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - سازگار با محصولات AMD با استاندارد PCIe 4.0 - قابلیت انتخاب بین 2 محافظ حرارتی آلومینیومی و گرافین - مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 8 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 13.4 گرم
میزان توان مصرفی - - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 230,000IOPS
طول عمر متوسط 2000 ترابایت (TBW) - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
کنترلر (Controller) InnoGrit IG5236 -

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - سازگار با محصولات AMD با استاندارد PCIe 4.0 - قابلیت انتخاب بین 2 محافظ حرارتی آلومینیومی و گرافین -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 45 گرم
میزان توان مصرفی - - 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط 2000 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) InnoGrit IG5236 Samsung MKX

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - سازگار با محصولات AMD با استاندارد PCIe 4.0 - قابلیت انتخاب بین 2 محافظ حرارتی آلومینیومی و گرافین -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 2000 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) InnoGrit IG5236 Samsung In-House Controller

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - سازگار با محصولات AMD با استاندارد PCIe 4.0 - قابلیت انتخاب بین 2 محافظ حرارتی آلومینیومی و گرافین - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 9 گرم
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط 2000 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 -
کنترلر (Controller) InnoGrit IG5236 DM620

مقایسه پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت Viper VP4300 NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - سازگار با محصولات AMD با استاندارد PCIe 4.0 - قابلیت انتخاب بین 2 محافظ حرارتی آلومینیومی و گرافین -
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8 × 22 × 80 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 25 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 800,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط 2000 ترابایت (TBW) - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron 96L TLC Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 2 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7400 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM DDR4 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) InnoGrit IG5236 Samsung Phoenix