مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر - ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه - 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر 15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 35 گرم 60 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای -
حافظه DRAM
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) - Maxio Technology MAS0902A

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مناسب گیمینگ - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای - 5.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 8.5 وات در حالت ماکزیمم - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix Controller

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای - 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 1,000,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای - 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Elpis

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای - 5.5 وات در حالت خواندن - 6 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 گیگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C - کابل USB-C به USB-C - کابل USB-C به USB-A - دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر - ویندوز 8 به بالا - مک OS X 10.6 به بالا - لینوکس 2.6 به بالا - اندروید 5 به بالا
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اکسترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر 12.25 × 35 × 64.8 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 31 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای -
حافظه DRAM
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر 3.5 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط - - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای - 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی - - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای - 5.5 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
نشانگر وضعیت LED -
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر - 3.3 × 22 × 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) - 4.3 × 22 × 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)
وزن محصول 35 گرم - 7 گرم (بدون هیت‌سینک) - 10 گرم (با هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای -
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 750,000IOPS
طول عمر متوسط - - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 1480 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 512 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 7400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 6800 مگابایت بر ثانیه

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر 6.1 × 22 × 80 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 11 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای - 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط - - 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN

مقایسه پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت با سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت PXD USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

محتویات جعبه - 1 عدد کابل Type-C به Type-A - 1 عدد کابل Type-C به Type-C -
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 10 و بالاتر - مک OS نسخه 10.13 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اکسترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
شیوه اتصال Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2 -
اندازه و ابعاد 9.8 × 31.5 × 103 میلی‌متر 2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 35 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 2.5 وات در حالت فعال - 0.06 وات در حالت استندبای - 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
طول عمر متوسط - - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 500 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1000 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix