صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (ETEP) ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش
مجوزها و تاییدیه‌ها FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI CE, FCC, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle 2.07 وات * حالت فعال ** 0.37 وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 500,000IOPS 290,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 480,000IOPS 260,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW) 80 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Kioxia 96L TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 1 ترابایت 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3500 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 3000 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung In-House Controller Phison E13T

مقایسه پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED - false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (ETEP) ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 9 گرم 98 گرم
میزان توان مصرفی 2.07 وات * حالت فعال ** 0.37 وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS -
طول عمر متوسط 80 (TBW) ترابایت -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Kioxia 96L TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) Phison E13T -

مقایسه پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ویژگی

پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED - true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (ETEP) ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 9 گرم 60 گرم
میزان توان مصرفی 2.07 وات * حالت فعال ** 0.37 وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS -
طول عمر متوسط 80 (TBW) ترابایت -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) Kioxia 96L TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) Phison E13T Maxio Technology MAS0902A

مقایسه پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED - true
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (ETEP) ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 9 گرم 52 گرم
میزان توان مصرفی 2.07 وات * حالت فعال ** 0.37 وات * حالت Idle -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS -
طول عمر متوسط 80 (TBW) ترابایت -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Kioxia 96L TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) Phison E13T -

مقایسه پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ویژگی

پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED - false
سیستم‌عامل‌های سازگار ویندوز نسخه 7 و بالاتر -
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID true false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (ETEP) ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 9 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی 2.07 وات * حالت فعال ** 0.37 وات * حالت Idle 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 290,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 260,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط 80 (TBW) ترابایت 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Kioxia 96L TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 1700 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1100 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison E13T Samsung Phoenix Controller

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (ETEP) ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp 2.07 وات * حالت فعال ** 0.37 وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 370,000IOPS 290,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 450,000IOPS 260,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 80 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Kioxia 96L TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3400 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2300 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung Phoenix Phison E13T

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

پاتریوت P300 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false -
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true true
قابلیت پشتیبانی از TRIM true true
قابلیت‌های جانبی - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** قابلیت پایش دمای حافظه ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (ETEP) ** فناوری HMB برای استفاده از بخش کوچکی از رم سیستم به عنوان حافظه کش
مجوزها و تاییدیه‌ها CE, FCC, KCC, VCCI, RCM CE, FCC, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2.5 اینچ 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی SATA 6Gb/s PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه SATA PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر 3.8 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 45 گرم 9 گرم
میزان توان مصرفی 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp 2.07 وات * حالت فعال ** 0.37 وات * حالت Idle
حافظه DRAM true false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 98,000IOPS 290,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 88,000IOPS 260,000IOPS
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW) 80 (TBW) ترابایت
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Samsung V-NAND 3-bit MLC Kioxia 96L TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 560 مگابایت بر ثانیه 1700 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 530 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM 512 MB LPDDR4 -
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 5 ولت -
کنترلر (Controller) Samsung MKX Phison E13T