مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ام اس آی VS ای دیتا

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG GAMMIX S50 Lite NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, FCC, BSMI, KC, RCM, Morocco, EAC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک) ** 3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک)
وزن محصول	-	10 گرم (با هیت‌سینک) ** 6 گرم (بدون هیت‌سینک)
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت Slumber
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	191,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	510,000IOPS
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 370 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 96L 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	512 MB
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3800 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	2800 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	DDR4
کنترلر (Controller)	PHISON E16	Silicon Motion SM2267EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام اس آی

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	AES 256bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	PHISON E16

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ای دیتا VS ام اس آی

ویژگی	ای دیتا XPG GAMMIX S70 BLADE NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	-	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	-	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, BSMI, KC, Morocco, EAC	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	3.3 * 22 * 80 میلی‌متر (بدون هیت‌سینک) ** 4.3 * 22 * 80 میلی‌متر (با هیت‌سینک)	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	7 گرم (بدون هیت‌سینک) ** 10 گرم (با هیت‌سینک)	-
میزان توان مصرفی	-	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	false	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	750,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 1480 ترابایت (TBW)	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	512 MB	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7400 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	6800 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	-	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
کنترلر (Controller)	-	PHISON E16

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

سامسونگ VS ام اس آی

ویژگی	سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit	AES 256bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	500,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتیگراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 2-bit MLC	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3500 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2700 مگابایت بر ثانیه	4400 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	LPDDR4	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix Controller	PHISON E16

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

ام اس آی VS ای دیتا

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه	-	پلاستیک
وزن محصول	-	60 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	-
کنترلر (Controller)	PHISON E16	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	6.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	1,000,000IOPS
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	5000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E16	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E16	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E16	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام اس آی VS ای دیتا

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا Elite SE880 USB 3.2 Gen 2x2 ظرفیت 500 گیگابایت
محتویات جعبه	-	کابل USB-C به USB-C کابل USB-C به USB-A دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز 8 به بالا مک OS X 10.6 به بالا لینوکس 2.6 به بالا ** ان*وید 5 به بالا
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	پشتیبانی از آی‌پد، مک بوک و کنسول‌های بازی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	12.25 * 35 * 64.8 میلی‌متر
وزن محصول	-	31 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	5 تا 50 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	-
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E16	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی VS ای دیتا

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	290,000IOPS
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	NANYA DDR3
کنترلر (Controller)	PHISON E16	SMI SM2262EN

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	5 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E16	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت$

مقایسه ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ام اس آی VS سامسونگ

ویژگی	ام اس آی SPATIUM M470 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت	سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256bit	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	true
قابلیت‌های جانبی	الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E) ** قابلیت Pyrite جهت رمزنگاری و امنیت داده‌ها	مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 صد * پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.15 * 22 * 80 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	حداکثر 6.3 وات هنگام استفاده ** 20 میلی‌وات * حالت Idle	5.5 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	480,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	600,000IOPS	550,000IOPS
طول عمر متوسط	1,700,000 ساعت (MTBF) ** 1600 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتیگراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	1 ترابایت	500 MB
نرخ خواندن ترتیبی	5000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	4400 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	DDR4 با 1 گیگابایت حافظه کش	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PHISON E16	Samsung Phoenix

مشاهده جزئیات مقایسه