نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | PCIe NVMe |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 | PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2280 M.2 |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 250 گیگابایت | 256 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC | 3D NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung Phoenix | - |
نرخ خواندن ترتیبی | 3500 مگابایت بر ثانیه | 3300 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 2300 مگابایت بر ثانیه | 3100 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 250,000IOPS | 220,000IOPS |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 550,000IOPS | 120,000IOPS |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 512 مگابایت LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | - |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW) | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 200 ترابایت (TBW) |
میزان توان مصرفی | - 5 وات در حالت خواندن - 4.2 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش | - |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
قابلیتهای جانبی | - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلیثانیه - مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش در حالت غیرفعال - قابل نگهداری در فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 درصد - پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه - نرمافزار Magician Software for SSD | - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over-Provision برای افزایش عمر حافظه - توان مصرفی پایین - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - قابلیت مدیریت Bad block |
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 2 × 22 × 80 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 8 گرم | - |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟