نوع کاربری حافظه | اینترنال | اینترنال |
---|---|---|
پورت اتصال حافظه | PCIe NVMe | SATA |
جزئیات اتصال ذخیرهسازی | PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c | SATA 6Gb/s |
طراحی و ابعاد دستگاه | 2280 M.2 | 2.5 اینچ |
---|
میزان ظرفیت حافظه | 1 ترابایت | 120 گیگابایت |
---|---|---|
مشخصات حافظه فلش (Flash) | Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND | 3D NAND |
کنترلر (Controller) | Samsung Elpis | - |
نرخ خواندن ترتیبی | 7000 مگابایت بر ثانیه | 520 مگابایت بر ثانیه |
نرخ نوشتن ترتیبی | 5000 مگابایت بر ثانیه | 500 مگابایت بر ثانیه |
سرعت خواندن تصادفی دادهها | 1,000,000IOPS | - |
سرعت نوشتن تصادفی دادهها | 1,000,000IOPS | - |
حافظه DRAM | دارد | ندارد |
نوع حافظه DRAM | 1 گیگابایت LPDDR4 | - |
محدوده دمای عملیاتی | 0 تا 70 درجه سانتیگراد | 0 تا 70 درجه سانتیگراد |
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) | 3.3 ولت | - |
طول عمر متوسط | - 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW) | 2,000,000 ساعت (MTBF) |
میزان توان مصرفی | - 6.2 وات در حالت خواندن - 5.7 وات در حالت نوشتن - 35 میلیوات در حالت آماده باش | - |
---|
قابلیت پشتیبانی از NCQ | ندارد | ندارد |
---|---|---|
قابلیت پشتیبانی از TRIM | دارد | دارد |
قابلیت پشتیبانی از RAID | ندارد | ندارد |
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T | دارد | دارد |
فناوری رمزنگاری | AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667 | - |
قابلیتهای جانبی | - | - سرعت چرخش 7200 دور در دقیقه - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه - قابلیت Over-Provision برای افزایش عمر حافظه - قابلیت مدیریت Bad block - توان مصرفی پایین |
اندازه و ابعاد | 2.38 × 22.15 × 80.15 میلیمتر | 7 × 69.85 × 100 میلیمتر |
---|---|---|
وزن محصول | 9 گرم | - |
نشانگر وضعیت LED | ندارد | ندارد |
---|
شما چه امتیازی می دهید؟