صفحه 4 از مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت مدل Nytro 5000
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D cMLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	۲۴۵۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۱۱۰ * ۲ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۱۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298با هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

برند نامشخص VS هایک ویژن

ویژگی	اس اس دی اینترنال AGI Technology AI298	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۳.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۶۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	۳.۳ V	-
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۶ گرم	8 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS, VCCI	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	85,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCSبا هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ای‌دیتا VS هایک ویژن

ویژگی	SSD اینترنال ای دیتا SMAR-980B-2TCS	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۵.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
میزان ظرفیت حافظه	۲ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۱۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	۲۰۰۰۰۰۰ IOPS	85,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	۱۶۵۰۰۰۰ IOPS	130,000IOPS
طول عمر متوسط	۱۴۸۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۴.۵ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	۱۲ گرم	8 گرم
مجوزها و تاییدیه‌ها	BSMI, CE, EAC, Federal Communications Commission (FCC), KC, RCM, RoHS, UKCA	-
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال کینگستون NV1 M.2 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۲۱۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۱۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۴۸۰
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۲۲ * ۸۰ * ۲.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۷ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	CE, RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit

هایک ویژن VS اچ پی

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال HP Z Turbo 4TB M.2 PCIe-4x4 SED OPAL2 TLC Z4/Z6 Kit
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۸۲ * ۳۰ * ۱۲ میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	۱۶۴ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
محتویات جعبه	-	Z Turbo ۴TB ۲۲۸۰ PCIe-۴x۴ SED OPAL۲ TLC M.۲ Z۴/Z۶ Kit SSD, heatsink, install guide, warranty card, product notices

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S

هایک ویژن VS سی‌گیت

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سیگیت Nytro 5350S
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱۵ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D eTLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۷۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	۱۷۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۱۹۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۲۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۱۴.۹ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۲۰۵ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۱۲ V

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875

هایک ویژن VS لنوو

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A90875
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	۸۲۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

هایک ویژن VS سی‌گیت

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۱۴۰۰
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758

هایک ویژن VS لنوو

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1D04758
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۶ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1

هایک ویژن VS سی‌گیت

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	SSD اینترنال سیگیت مدل BarraCuda Q1
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	QLC ۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۱۸۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۴ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۴۰ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال ساتا سامسونگ 860 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۲۵۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۵۵۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۵۲۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه