مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت

هایک ویژن VS بلو

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	وسترن دیجیتال Blue WDS250G2B0A SATA 2.5 Inch ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	525 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	95,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	81,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	1,750,000 (MTTF) ساعت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	52 میلی‌وات به صورت میانگین ** 2.2 وات * حالت خواندن ** 2.25 وات * حالت نوشتن ** 56 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 تا 7 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	مقاوم * برابر حداکثر 5.0G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 4.9G لرزش * حالت غیرفعال ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه نرم‌افزار Western Digital SSD Dashboard نرم‌افزار Acronis True Image WD Edition
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.85 * 100.2 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	37.4 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, UL, TUV, KC, BSMI, VCCI, Morocco

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت

هایک ویژن VS سیگیت

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سیگیت FireCuda 530 Heatsink ظرفیت 4 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe Gen4.0 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	7250 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	6900 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	1,000,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	1,000,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	1,800,000 ساعت (MTBF) ** 5100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	8.6 میلی‌وات * حالت فعال ** 30 میلی‌وات * حالت PS3 Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	11.04 * 24.2 * 80.16 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	47 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS KingSpec

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	کینگ اسپک NT-XXX SATA M.2 2280 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	580 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 349 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایتبا هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Crucial VS هایک ویژن

ویژگی	کروشیال BX500 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	480 MB	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Micron 64L 3D TLC NAND	3D TLC NAND
کنترلر (Controller)	Silicon Motion SM2258XT	-
نرخ خواندن ترتیبی	540 مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTTF) ** 120 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
مجوزها و تاییدیه‌ها	FCC, UL, TUV, KCC, BSMI, VCCI, CE, WEEE, ROHS, EPEAT, Halogen Free, SATA-IO, ICES	-
اندازه و ابعاد	7 * 95 * 125 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	70 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	85,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
میزان توان مصرفی	-	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS مایکروسافت

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سیگیت XBOX Series ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	درگاه اختصاصی
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	-
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	سازگار با کنسول ایکس باکس سری X و S ** معماری Xbox Velocity جهت افزای سرعت ذخیره‌سازی
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	5 * 76 * 139 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	68 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	کینگستون SSDNow UV400 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	35,000IOPS
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	1,000,000 ساعت (MTBF) ** 200 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	0.59 وات * حالت خواندن ** 2.515 وات * حالت نوشتن 0.693 وات به صورت میانگین 0.672 وات * حالت آماده باش
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	مقاوم * برابر حداکثر 2.17G لرزش * حالت فعال ** مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش * حالت غیرفعال ** نرم‌افزار Acronis Data Migration
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	57 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Marvell 88SS1074
محتویات جعبه	-	قاب مخصوص برای استفاده از حافظه به صورت اکسترنال اسپیسر 7 به 9.5 میلی‌متر برای افزایش ارتفاع SSD براکت 3.5 اینچی برای قرارگیری * کیس کابل USB کابل ساتا کابل دیتا شماره سریال برای دانلود نرم‌افزار Acronis Data Migration

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 960PRO SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 2-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	100.000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	90.000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 2400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	2.2 وات * حالت خواندن و نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 4.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	6.8 × 69.85 × 100 ميلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	62 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	2 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	5 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	250 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	1500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	200,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	350,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	5.4 وات * حالت خواندن ** 4.2 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Phoenix
نوع حافظه DRAM	-	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	440,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	360,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	5.3 وات * حالت خواندن ** 5.2 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8.5 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	1GB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت$

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 960PRO NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.2
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	512 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung 48-Layer MLC V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	2100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	330,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	330,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	5.1 وات * حالت خواندن ** 4.7 وات * حالت نوشتن ** 40 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	8.3 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung Polaris
نوع حافظه DRAM	-	512MB LP DDR3
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal, IEEE1667

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS سابرنت

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سابرنت Rocket Q NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D QLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	3200 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	2000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	false
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	260 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	10 * 80 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	false

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS Samsung

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	سامسونگ 860EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	90,000IOPS
حافظه DRAM	false	true
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	3 وات * حالت خواندن ** 3 وات * حالت نوشتن ** 50 میلی‌وات * حالت آماده باش ** 2.6 میلی‌وات * حالت DevSlp
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	6.8 * 69.8 * 100 میلی‌متر
وزن محصول	8 گرم	86 گرم
نشانگر وضعیت LED	false	false
کنترلر (Controller)	-	Samsung MJX
نوع حافظه DRAM	-	1GB LPDDR4
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز XP سرویس پک 2 و بالاتر ** ویندوز سرور 2003 سرویس پک 2 و بالاتر

مشاهده جزئیات مقایسه