1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

هایک ویژن VS توشیبا
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

توشیبا Canvio Ready USB 3.2 ظرفیت 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 4 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد NTFS ** 5 گیگابیت سرعت انتقال اطلاعات
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 19.5 * 78 * 109 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 2175 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 8.1 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.13 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

هایک ویژن VS ام اس آی
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ام اس آی SPATIUM M570 HS NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen5x4 / NVMe 2.0
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 10000 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 1,400,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 1,500,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن حداکثر 11 وات هنگام استفاده
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** محافظت از داده‌ها * مسیر انتقال به صورت یکپارچه و از مبداء به مقصد (E2E)
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر بدون هیت سبنک ** 20.4 * 23 * 80.4 میلی‌متر با هیت سینک
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - PHISON E26
نوع حافظه DRAM - DDR4 با 4 گیگابایت حافظه کش
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

هایک ویژن VS ام جی
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

تیم گروپ GX1 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 400 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

هایک ویژن VS ترنسند
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ترنسند 110S NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND THGDU3B-1D03 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 1600 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 1100 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 250,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 90,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 100 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ** پشتیبانی از الگوریتم GC برای استفاده بهینه از فضای حافظه ** نرم‌افزار Transcend SSD Scope
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 3.58 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 8 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2263XT
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت / 1.5 آمپر
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.31 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, KC, RCM
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

هایک ویژن VS سیلیکون پاور
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور Ace A55 SATA 2.5 Inch ظرفیت 2 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 2 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد پشتیبانی از SLC Cache ** الگوریتم اصلاح خطا (ECC) ** فناوری Smart Response اینتل ** قابلیت Wear Leveling برای افزایش عمر حافظه ** نرم‌افزار SP Toolbox
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ PM883 SATA 2.5 Inch ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6 Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung 64 layer TLC 3D V-NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 25,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن 1.3 وات * حالت Idle ** 2.7 وات * حالت فعال
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد قابلیت به‌ کارگیری به صورت 24 ساعته
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

هایک ویژن VS زاداک
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

زاداک TWSG3 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 3200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, VCCI, BSMI
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

هایک ویژن VS ام جی
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

تیم گروپ T-Force VULCAN SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 500 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 64L 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 510 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 90,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 80,000IOPS
حافظه DRAM false true
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 1,000,000 ساعت (MTBF) ** 240 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 7 * 69.9 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Silicon Motion SM2258
نوع حافظه DRAM - DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.4 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6.33 و بالاتر
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سامسونگ PM893 SATA 2.5 Inch ظرفیت 480 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 480 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 550 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 520 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 93,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 30,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 2,000,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن 2.1 وات (خواندن) ** 3.2 (نوشتن) ** 1.5 میلی‌وات * حالت Idle
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 70 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
کنترلر (Controller) - Samsung Metis Controller
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
فناوری رمزنگاری - AES 256-bit Encryption (Class 0)
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

هایک ویژن VS وسترن دیجیتال
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

وسترن دیجیتال PC SN530 M.2 2280 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen3 x4 / NVMe 1.4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 950 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 170,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS 120,000IOPS
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 200 (TBW) ترابایت
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.38 * 22 * 30 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 7.5 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
مجوزها و تاییدیه‌ها - BSMI, ICES-003/NMB-003, CE, FCC, KC, Maghreb, RCM, UKCA, VCCI, CB-Scheme, TUV, UL
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

هایک ویژن VS دی شیشو
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

شیشو XS880 mSATA ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 mSATA
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 450 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS 550 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) 1,500,000 (MTBF) ساعت
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد استاندارهای FCC , CE , ROHS
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر -
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false false
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7، 8، 10 ** مک OS ** لینوکس
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

هایک ویژن VS سیلیکون پاور
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

سیلیکون پاور PC60 USB 3.2 ظرفیت 240 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 240 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 540 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه 500 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false false
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتیگراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 11.2 * 80 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 8 گرم 46 گرم
نشانگر وضعیت LED false false
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز 7 و بالاتر ** مک OS نسخه 10.3 و بالاتر ** لینوکس هسته 2.6 و بالاتر ** ان*وید 6 و بالاتر
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, BSMI, RoHS, KCC
مواد بدنه - پلاستیک
محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-A
مشاهده جزئیات مقایسه