1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. مقایسه SSD اینترنال

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه با هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

Crucial VS هایک ویژن
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه M.2 PCIe NVMe
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی NVMe PCIe Gen4 x4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
شیوه اتصال PCIe Gen4 NVMe -
نرخ خواندن ترتیبی تا 7,100 مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی تا 6,000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
مشخصات حافظه فلش (Flash) Micron G8 NAND 3D TLC NAND
سیستم‌عامل‌های سازگار Windows، لپ‌تاپ‌ها، دسک‌تاپ‌ها، کنسول‌های بازی دستی منتخب (ROG Ally X، Lenovo Legion Go، AYANEO Kun) -
قابلیت‌های جانبی نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis، کنترل حرارتی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
اندازه و ابعاد M.2 2280 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
محتویات جعبه مجوز/کلید نرم‌افزار بازیابی اطلاعات Acronis -
طراحی و ابعاد دستگاه فرم فاکتور M.2 2280 2280 M.2
میزان ظرفیت حافظه - 256 MB
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 85,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
محدوده دمای عملیاتی - 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط - 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی - 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از TRIM - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T - false
وزن محصول - 8 گرم
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا

هایک ویژن VS Samsung
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال حافظه فلش NAND
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe Gen 4x4 / PCIe Gen 5x2
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 1 ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND آخرین حافظه NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه 7150 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن کارآمد
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد فناوری HMB، Intelligent Turbowrite 2.0
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe
کنترلر (Controller) - کنترلر با روکش نیکل
سیستم‌عامل‌های سازگار - کامپیوتر شخصی، لپ‌تاپ
فناوری رمزنگاری -
محتویات جعبه - SSD (MZ-V9S1T0B/AM)
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

هایک ویژن VS لنوو
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A87526

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS ۹۷۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۳۱۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۷۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

هایک ویژن VS سامسونگ
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 970 EVO

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND V-NAND MLC
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۳۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) ۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 (۸۰.۲ * ۲۲.۱ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۸ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - ۳.۳ V
رنگ‌بندی - مشکی
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

هایک ویژن VS کلیو
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال کلو CRAS C910G

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۵۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه ۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS ۵۶۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۶۱۵۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۸ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۱۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها - UKCA, Federal Communications Commission (FCC), CE
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

هایک ویژن VS لنوو
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB7A14049

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۲.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۲۴۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه ۲۵۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۲۶۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.۲
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

هایک ویژن VS کینگستون
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال کینگستون DC600M 1920G ساتا سازمانی 2.5 اینچ (Mixed-Use)

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱.۹۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه ۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS ۹۴۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۷۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) ۳۵۰۴
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰.۱ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۶۹ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری - No
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

هایک ویژن VS سی‌گیت
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

SSD اینترنال سیگیت مدل FireCuda 120

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 No
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه ۵۴۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS ۱۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۹۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) ۱۴۰۰
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2.5" (۷۰.۱ * ۱۰۰.۳ * ۷.۱ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۵۰ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

هایک ویژن VS کینگستون
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 4 ترابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۴ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND ۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه ۱۴۸۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه ۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS ۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) ۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۷.۷ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828 {request()->input('language_config')['common']['with']} هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828با هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

برند نامشخص VS هایک ویژن
ویژگی

SSD اینترنال ای جی آی تکنولوژی AI828

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

جزئیات اتصال ذخیره‌سازی Yes PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه PCI Express ۴.۰ PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
میزان ظرفیت حافظه ۲ ترابایت 256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash) ۳D NAND 3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی ۷۴۰۰ مگابایت بر ثانیه 1900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی ۶۷۰۰ مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط ۱۵۰۰ 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) ۳.۳ V -
محدوده دمای عملیاتی ۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد 2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۵ میلی‌متر) 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول ۷.۵ گرم 8 گرم
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T true false
قابلیت پشتیبانی از TRIM true false
مجوزها و تاییدیه‌ها BSMI, CE, Federal Communications Commission (FCC), RoHS -
طراحی و ابعاد دستگاه - 2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 85,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 130,000IOPS
حافظه DRAM - false
میزان توان مصرفی - 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن
قابلیت پشتیبانی از NCQ - false
قابلیت پشتیبانی از RAID - false
قابلیت‌های جانبی - مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
نشانگر وضعیت LED - false
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']}

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا

هایک ویژن VS KingSpec
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نوع کاربری حافظه اینترنال درایو حالت جامد داخلی
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe M.2 2280
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 NVMe Gen3x4
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 فرم فاکتور M.2 2280
میزان ظرفیت حافظه 256 MB 512 گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND حافظه فلش سه‌بعدی NAND (TLC/QLC)
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه تا 2400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false بله
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false بله
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد تسطیح فرسودگی، LDPC ECC، حفاظت داده سرتاسری
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر M.2 2280
وزن محصول 8 گرم -
نشانگر وضعیت LED false -
شیوه اتصال - NVMe Gen3x4
کنترلر (Controller) - کنترلر اصلی با کیفیت بالا
سیستم‌عامل‌های سازگار - Windows 7-10، RHEL، CentOS، Linux، Ubuntu
محتویات جعبه - SSD، مستندات
مشاهده جزئیات مقایسه
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661
VS
مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

هایک ویژن VS لنوو
ویژگی

هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

اس اس دی اینترنال لنوو مدل 4XB1L68661

نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 Yes
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
میزان ظرفیت حافظه 256 MB ۵۱۲ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
نرخ خواندن ترتیبی 1900 مگابایت بر ثانیه -
نرخ نوشتن ترتیبی 1200 مگابایت بر ثانیه -
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 85,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 130,000IOPS -
حافظه DRAM false -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد ۰ تا ۸۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW) -
میزان توان مصرفی 7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false -
قابلیت پشتیبانی از TRIM false -
قابلیت پشتیبانی از RAID false -
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false -
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر لرزش ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد -
اندازه و ابعاد 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر 2280 (22 x 80 mm) (۸۰ * ۲۲ * ۲.۳۸ میلی‌متر)
وزن محصول 8 گرم ۶.۵ گرم
نشانگر وضعیت LED false -
مشاهده جزئیات مقایسه