صفحه 3 از مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

در این صفحه 12 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZبا هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BBCZ	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۳.۸۴ ترابایت	256 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	Serial ATA III	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	No	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	-	1900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	85,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
وزن محصول	-	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPNبا هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

دِل VS هایک ویژن

ویژگی	اس اس دی اینترنال دل مدل 345-BGPN	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
میزان ظرفیت حافظه	۱.۶ ترابایت	256 MB
اندازه و ابعاد	۲.۵"	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
پورت اتصال حافظه	SAS	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	-	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
مشخصات حافظه فلش (Flash)	-	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	-	1900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	-	1200 مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	85,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
محدوده دمای عملیاتی	-	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	-	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
میزان توان مصرفی	-	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
وزن محصول	-	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	SSD اینترنال کینگستون NV3 M.2 2230 NVMe ظرفیت 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۳۲۰
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۲.۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60

هایک ویژن VS ایکس‌پی‌جی

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال ای دیتا XPG GAMMIX S60
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۲۵۰
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۳.۱۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۸ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 سامسونگ 990 EVO
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۶۰۰
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	۲۲۸۰ (۲۲ x ۸۰ mm)
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	Federal Communications Commission (FCC), RoHS, UKCA

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ PM981 NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۳.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۳۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۲۴۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	۳۸۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۴۴۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	-
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	M.۲
وزن محصول	8 گرم	۹ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
رنگ‌بندی	-	Black, Green

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 2 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۲ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۱۴۷۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۱۴۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۷.۷ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874

هایک ویژن VS لنوو

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال لنوو 4XB7A90874
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	No
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۹۶۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	V-NAND TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	-
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	-
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	۸۱۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۲۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۷۰ * ۱۰۰ * ۷ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	-
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2230 کینگستون NV3 500 گیگابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۴.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۵۰۰ گیگابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D NAND
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۵۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۳۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	-
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۱۶۰
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2230 (22 x 30 mm) (۳۰ * ۲۲ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۲.۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت

هایک ویژن VS کینگستون

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس‌اس‌دی اینترنال NVMe M.2 2280 کینگستون FURY Renegade G5 1 ترابایت
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCI Express ۵.۰
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	Yes
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	۳D TLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۱۴۲۰۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۱۱۰۰۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	۲۲۰۰۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۲۱۵۰۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۲۰۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	-
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	-
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۷.۳ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300با هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS هایک ویژن

ویژگی	SSD اینترنال گیگابایت AORUS Gen4 7300	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	Yes	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
پورت اتصال حافظه	PCI Express ۴.۰	PCIe NVMe
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
فناوری رمزنگاری	Yes	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
میزان ظرفیت حافظه	۱ ترابایت	256 MB
مشخصات حافظه فلش (Flash)	۳D TLC NAND	3D TLC NAND
نرخ خواندن ترتیبی	۷۳۰۰ مگابایت بر ثانیه	1900 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	۶۰۰۰ مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
طول عمر متوسط	۷۰۰	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
اندازه و ابعاد	2280 (22 x 80 mm) (۲۲ * ۸۰ * ۲.۳ میلی‌متر)	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
طراحی و ابعاد دستگاه	-	2280 M.2
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	-	85,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	-	130,000IOPS
حافظه DRAM	-	false
میزان توان مصرفی	-	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن
قابلیت پشتیبانی از NCQ	-	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	-	false
قابلیت‌های جانبی	-	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد
وزن محصول	-	8 گرم
نشانگر وضعیت LED	-	false

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایتبا اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)

هایک ویژن VS سامسونگ

ویژگی	هایک ویژن E1000 NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت	اس اس دی اینترنال سامسونگ 870 QVO 1TB (مدل MZ-77Q1T0)
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	Serial ATA III
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	-
میزان ظرفیت حافظه	256 MB	۱ ترابایت
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	QLC
نرخ خواندن ترتیبی	1900 مگابایت بر ثانیه	۵۶۰ مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	1200 مگابایت بر ثانیه	۵۳۰ مگابایت بر ثانیه
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	85,000IOPS	۹۸۰۰۰ IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	130,000IOPS	۸۸۰۰۰ IOPS
حافظه DRAM	false	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	۰ تا ۷۰ درجه سانتی‌گراد
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)	۱۵۰۰۰۰۰ ساعت
میزان توان مصرفی	7 وات * حالت خواندن ** 5 وات * حالت نوشتن	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	-
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	-
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت‌های جانبی	مقاوم * برابر لرزش الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت 5 تا 95 *صد	-
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	2.5" (۶۹.۸ * ۱۰۰ * ۶.۸ میلی‌متر)
وزن محصول	8 گرم	۴۶ گرم
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	Yes
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	۵ V

مشاهده جزئیات مقایسه