1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ایکس پی جی
ویژگی

گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

ای دیتا XPG GAMMIX S11 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB * 5 حالت ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار RGB Fusion ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8.1 * 22.3 * 80 میلی‌متر 6.1 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 11 گرم
میزان توان مصرفی 5.485 وات * حالت خواندن ** 4.085 وات * حالت نوشتن ** 0.272 وات * حالت آماده باش 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - DDR3L
کنترلر (Controller) Phison SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 970PRO NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB * 5 حالت ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار RGB Fusion ** نرم‌افزار SSD Tool Box مناسب گیمینگ ** نرم‌افزار Magician Software for SSD
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8.1 * 22.3 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 5.485 وات * حالت خواندن ** 4.085 وات * حالت نوشتن ** 0.272 وات * حالت آماده باش 5.2 وات * حالت خواندن ** 5.7 وات * حالت نوشتن ** 8.5 وات * حالت ماکزیمم ** 0.03 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS 500,000IOPS
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 1200 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 2-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison Samsung Phoenix Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB * 5 حالت ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار RGB Fusion ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها - FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8.1 * 22.3 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 5.485 وات * حالت خواندن ** 4.085 وات * حالت نوشتن ** 0.272 وات * حالت آماده باش 4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS 480,000IOPS
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison Samsung In-House Controller
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB * 5 حالت ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار RGB Fusion ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, FCC, KCC, VCCI, RCM
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 SATA 6Gb/s
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe SATA
اندازه و ابعاد 8.1 * 22.3 * 80 میلی‌متر 6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر
وزن محصول - 45 گرم
میزان توان مصرفی 5.485 وات * حالت خواندن ** 4.085 وات * حالت نوشتن ** 0.272 وات * حالت آماده باش 2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 98,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS 88,000IOPS
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 560 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 530 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 5 ولت
کنترلر (Controller) Phison Samsung MKX
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ
ویژگی

گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB * 5 حالت ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار RGB Fusion ** نرم‌افزار SSD Tool Box -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8.1 * 22.3 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول - 8 گرم
میزان توان مصرفی 5.485 وات * حالت خواندن ** 4.085 وات * حالت نوشتن ** 0.272 وات * حالت آماده باش 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS 450,000IOPS
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) - 3.3 ولت
کنترلر (Controller) Phison Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS لکسار
ویژگی

گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB * 5 حالت ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار RGB Fusion ** نرم‌افزار SSD Tool Box مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 8.1 * 22.3 * 80 میلی‌متر 2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول - 9 گرم
میزان توان مصرفی 5.485 وات * حالت خواندن ** 4.085 وات * حالت نوشتن ** 0.272 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS 300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS 256,000IOPS
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 3000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) Phison DM620
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS خودروسازی دی اس
ویژگی

گیگابایت AORUS RGB NVMe M.2 ظرفیت 512 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار - ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی امکان شخصی‌سازی نورپردازی RGB * 5 حالت ** قابلیت نمایش دمای حافظه ** قابلیت Secure Erase به منظور پاکسازی غیرقابل بازگشت داده‌ها ** نرم‌افزار RGB Fusion ** نرم‌افزار SSD Tool Box مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 8.1 * 22.3 * 80 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول - 52 گرم
میزان توان مصرفی 5.485 وات * حالت خواندن ** 4.085 وات * حالت نوشتن ** 0.272 وات * حالت آماده باش -
حافظه DRAM false false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها 360,000IOPS -
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها 440,000IOPS -
طول عمر متوسط 1,800,000 ساعت (MTBF) ** 800 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) Toshiba 64L 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 512 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 3480 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 2000 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
کنترلر (Controller) Phison -
مشاهده جزئیات مقایسه