صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

$مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت$

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	مناسب گیمینگ قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	8 * 22 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم ، نانوکربن	-
وزن محصول	-	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 (MTBF) ساعت	2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع DDR4	-
کنترلر (Controller)	PS5018-E18	-

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت$

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم ، نانوکربن	-
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	5 وات * حالت خواندن ** 3.9 وات * حالت نوشتن ** 35 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع DDR4	512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PS5018-E18	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت$

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED	false	true
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	ویندوز نسخه XP و بالاتر مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	-	15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم ، نانوکربن	پلاستیک
وزن محصول	-	60 گرم
میزان توان مصرفی	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,600,000 (MTBF) ساعت	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	960 MB
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع DDR4	-
کنترلر (Controller)	PS5018-E18	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	true
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	true
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم ، نانوکربن	-
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	4.5 وات * حالت خواندن ** 4.6 وات * حالت نوشتن ** 45 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع DDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PS5018-E18	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایتبا گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 * 69.85 * 100 میلی‌متر	-
مواد بدنه	-	آلومینیوم ، نانوکربن
وزن محصول	45 گرم	-
میزان توان مصرفی	2 وات * حالت خواندن ** 2.2 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle ** 2.5 میلی‌وات * حالت DevSlp	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	700,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,600,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	1 گیگابایت از نوع DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	PS5018-E18

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت$

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	false	true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	true	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	true	false
قابلیت‌های جانبی	-	پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر	-
مواد بدنه	-	آلومینیوم ، نانوکربن
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM	true	true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	700,000IOPS
طول عمر متوسط	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)	1,600,000 (MTBF) ساعت
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 MB	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 MB LPDDR4	1 گیگابایت از نوع DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	PS5018-E18

مشاهده جزئیات مقایسه

$مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت$

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایتبا لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS لکسار

ویژگی	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED	false	false
قابلیت پشتیبانی از NCQ	false	false
قابلیت پشتیبانی از RAID	true	false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T	false	false
قابلیت پشتیبانی از TRIM	false	false
قابلیت‌های جانبی	پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs پشتیبانی از SLC Cache الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC الگوریتم اصلاح خطا (ECC) فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه ** الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.25 * 22 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم ، نانوکربن	-
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	6.6 وات * حالت خواندن ** 6.5 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle	-
حافظه DRAM	true	false
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 (MTBF) ساعت	1,500,000 ساعت (MTBF) ** 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع DDR4	-
کنترلر (Controller)	PS5018-E18	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه