صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 7 مقایسه برای شما آماده شده است

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

ویژگی	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا XPG SPECTRIX S40G NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	- مناسب گیمینگ - قابلیت شخصی‌سازی نورپردازی - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KCC, EAC, RCM, Morocco
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	8 × 22 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم ، نانوکربن	-
وزن محصول	-	13.4 گرم
میزان توان مصرفی	- 6.6 وات در حالت خواندن - 6.5 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle	- 0.33 وات در حالت فعال - 0.14 وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	210,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	230,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF)	- 2,000,000 ساعت (MTBF) - 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	256 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع DDR4	-
کنترلر (Controller)	PS5018-E18	-

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980PRO NVMe M.2 ظرفیت 250 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.3c
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم ، نانوکربن	-
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 6.6 وات در حالت خواندن - 6.5 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle	- 5 وات در حالت خواندن - 3.9 وات در حالت نوشتن - 35 میلی‌وات در حالت آماده باش
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	600,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 150 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	250 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	6400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	2700 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع DDR4	512 مگابایت LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PS5018-E18	Samsung Elpis

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

گیگابایت VS ای دیتا

ویژگی	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
نشانگر وضعیت LED
سیستم‌عامل‌های سازگار	-	- ویندوز نسخه XP و بالاتر - مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر - لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر - اندروید 5.0 و بالاتر
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	- پشتیبانی از SLC Cache هوشمند - مقاوم در برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری - پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	- استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 - FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	-
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اکسترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	-
شیوه اتصال	-	Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد	-	15.2 × 80 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم ، نانوکربن	پلاستیک
وزن محصول	-	60 گرم
میزان توان مصرفی	- 6.6 وات در حالت خواندن - 6.5 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	-
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	-
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF)	-
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	-
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	960 گیگابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	430 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع DDR4	-
کنترلر (Controller)	PS5018-E18	Maxio Technology MAS0902A

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS سامسونگ

ویژگی	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	سامسونگ 980 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED		-
فناوری رمزنگاری	-	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	-
مجوزها و تاییدیه‌ها	-	FCC, KCC, CE, RoHS, RU, RCM, TUV, VCCI, BSMI
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم ، نانوکربن	-
وزن محصول	-	8 گرم
میزان توان مصرفی	- 6.6 وات در حالت خواندن - 6.5 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle	- 4.5 وات در حالت خواندن - 4.6 وات در حالت نوشتن - 45 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	500,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	480,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع DDR4	-
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	-	3.3 ولت
کنترلر (Controller)	PS5018-E18	Samsung In-House Controller

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت با گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 870EVO SATA 2.5 Inch ظرفیت 500 گیگابایت	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU
مجوزها و تاییدیه‌ها	CE, FCC, KCC, VCCI, RCM	-
طراحی و ابعاد دستگاه	2.5 اینچ	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	SATA 6Gb/s	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	SATA	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	6.8 × 69.85 × 100 میلی‌متر	-
مواد بدنه	-	آلومینیوم ، نانوکربن
وزن محصول	45 گرم	-
میزان توان مصرفی	- 2 وات در حالت خواندن - 2.2 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle - 2.5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 6.6 وات در حالت خواندن - 6.5 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	98,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	88,000IOPS	700,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	560 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	530 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	1 گیگابایت از نوع DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	5 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung MKX	PS5018-E18

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت با گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت

سامسونگ VS گیگابایت

ویژگی	سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
فناوری رمزنگاری	AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667	-
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	-	- پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	2.38 × 22.15 × 80.15 میلی‌متر	-
مواد بدنه	-	آلومینیوم ، نانوکربن
وزن محصول	8 گرم	-
میزان توان مصرفی	- 5.7 وات در حالت خواندن - 5.8 وات در حالت نوشتن - 0.03 وات در حالت آماده باش - 5 میلی‌وات در حالت DevSlp	- 6.6 وات در حالت خواندن - 6.5 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	370,000IOPS	350,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	450,000IOPS	700,000IOPS
طول عمر متوسط	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 300 ترابایت (TBW)	1,600,000 ساعت (MTBF)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	Samsung V-NAND 3-bit MLC	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	500 گیگابایت	2 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	3400 مگابایت بر ثانیه	7000 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	2300 مگابایت بر ثانیه	5500 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	512 مگابایت LPDDR4	1 گیگابایت از نوع DDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage)	3.3 ولت	-
کنترلر (Controller)	Samsung Phoenix	PS5018-E18

مشاهده جزئیات مقایسه

مقایسه گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت با لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

گیگابایت VS لکسار

ویژگی	گیگابایت AORUS 7000s NVMe M.2 ظرفیت 2 ترابایت	لکسار NM620 NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
نشانگر وضعیت LED
قابلیت پشتیبانی از NCQ
قابلیت پشتیبانی از RAID
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T
قابلیت پشتیبانی از TRIM
قابلیت‌های جانبی	- پشتیبانی از هشت کانال NAND Flash همراه 32 CEs - پشتیبانی از SLC Cache - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC - الگوریتم اصلاح خطا (ECC) - فناوری Thermal Throttle Protection جهت خنک‌سازی CPU و GPU	- مقاوم در برابر حداکثر 20G لرزش - مقاوم در برابر ضربه تا 1500G/0.5 میلی‌ثانیه - الگوریتم رفع خطای پیشرفته LDPC ECC
طراحی و ابعاد دستگاه	2280 M.2	2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی	PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4	PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.4
نوع کاربری حافظه	اینترنال	اینترنال
پورت اتصال حافظه	PCIe NVMe	PCIe NVMe
اندازه و ابعاد	-	2.25 × 22 × 80 میلی‌متر
مواد بدنه	آلومینیوم ، نانوکربن	-
وزن محصول	-	9 گرم
میزان توان مصرفی	- 6.6 وات در حالت خواندن - 6.5 وات در حالت نوشتن - 30 میلی‌وات در حالت Idle	-
حافظه DRAM
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها	350,000IOPS	300,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها	700,000IOPS	256,000IOPS
طول عمر متوسط	1,600,000 ساعت (MTBF)	- 1,500,000 ساعت (MTBF) - 500 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد	0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash)	3D TLC NAND	3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه	2 ترابایت	1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی	7000 مگابایت بر ثانیه	3300 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی	5500 مگابایت بر ثانیه	3000 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM	1 گیگابایت از نوع DDR4	-
کنترلر (Controller)	PS5018-E18	DM620

مشاهده جزئیات مقایسه