1. مقایسه
  2. مقایسه کالای دیجیتال
  3. مقایسه کامپیوتر و لوازم جانبی
  4. مقایسه تجهیزات ذخیره‌سازی اطلاعات
  5. مقایسه حافظه SSD
  6. صفحه 2

صفحه 2 از مقایسه حافظه SSD

در این صفحه 6 مقایسه برای شما آماده شده است

VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

کورسیر VS ای دیتا
ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا XPG SX8200 Pro NVMe M.2 ظرفیت 256 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار سازگار با پلی‌استیشن 5 -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false true
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
مجوزها و تاییدیه‌ها - RoHS, CE, FCC, BSMI, VCCI, KC
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 11 * 23 * 80 میلی‌متر 3.5 * 22 * 80 میلی‌متر
وزن محصول 340 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 0.33 وات * حالت فعال ** 0.14 میلی‌وات * حالت آماده باش
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 220,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 290,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) 2,000,000 ساعت (MTBF) ** 160 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه‌ی سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Micron 64-Layer 3D TLC NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 256 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 1200 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - NANYA DDR3
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) - SMI SM2262EN
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS سامسونگ
ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 970EVO Plus NVMe M.2 ظرفیت 1 ترابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار سازگار با پلی‌استیشن 5 -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 11 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 340 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.5 وات * حالت خواندن ** 6 وات * حالت نوشتن ** 30 میلی‌وات * حالت Idle
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 600,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 550,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 600 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7100 مگابایت بر ثانیه 3500 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 3300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 1 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

کورسیر VS ای دیتا
ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

ای دیتا SD600Q USB 3.2 Gen 1 ظرفیت 960 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار سازگار با پلی‌استیشن 5 ویندوز نسخه XP و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر ** لینوکس کرنل 2.6 و بالاتر ** ان*وید 5.0 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox پشتیبانی از SLC Cache هوشمند ** مقاوم * برابر لرزش و ضربه از ارتفاع 1.22 متری ** پشتیبانی از کنسول‌های بازی Xbox One و PlayStation 4
مجوزها و تاییدیه‌ها - استاندارد نظامی MIL-STD-810G 516.6 ** FCC, CE, KC, EAC, BSMI, RoHS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2.5 اینچ
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Micro-B به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 1
اندازه و ابعاد 11 * 23 * 80 میلی‌متر 15.2 * 80 * 80 میلی‌متر
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 340 گرم 60 گرم
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND 3D NAND
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 960 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7100 مگابایت بر ثانیه 440 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 430 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
کنترلر (Controller) - Maxio Technology MAS0902A
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

کورسیر VS سامسونگ
ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ 970EVO NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار سازگار با پلی‌استیشن 5 -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit, TCG/Opal V2.0, IEEE1667
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false true
قابلیت پشتیبانی از TRIM false true
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox -
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 2280 M.2
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 PCIe 3.0 x4 / NVMe 1.3
نوع کاربری حافظه اینترنال اینترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe PCIe NVMe
اندازه و ابعاد 11 * 23 * 80 میلی‌متر 2.38 * 22.15 * 80.15 میلی‌متر
وزن محصول 340 گرم 8 گرم
میزان توان مصرفی - 5.7 وات * حالت خواندن ** 5.8 وات * حالت نوشتن ** 0.03 وات * حالت آماده باش ** 5 میلی‌وات * حالت DevSlp
حافظه DRAM false true
سرعت خواندن تصادفی داده‌ها - 370,000IOPS
سرعت نوشتن تصادفی داده‌ها - 450,000IOPS
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) 1,500,000 ساعت (MTBF) ** 300 ترابایت (TBW)
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND Samsung V-NAND 3-bit MLC
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 500 MB
نرخ خواندن ترتیبی 7100 مگابایت بر ثانیه 3400 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 2300 مگابایت بر ثانیه
نوع حافظه DRAM - 512 MB LPDDR4
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت 3.3 ولت
کنترلر (Controller) - Samsung Phoenix
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS سامسونگ
ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سامسونگ T7 Shield USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB Type-C به USB Type-C ** کابل USB Type-C به USB Type-A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false false
سیستم‌عامل‌های سازگار سازگار با پلی‌استیشن 5 -
فناوری رمزنگاری AES 256-bit AES 256-bit
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox نرم‌افزار Samsumg Portable SSD Software ** دارای استاندارد IP65 مقاومت * برابر نفوذ آب
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE, BSMI, KC, VCCI, C-tick, FCC, IC, UL, TUV, CB, EAC, UKCA, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-A از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 11 * 23 * 80 میلی‌متر 13 * 59 * 88 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، طوسی
وزن محصول 340 گرم 98 گرم
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد -
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7100 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
مشاهده جزئیات مقایسه
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت
VS
مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت {request()->input('language_config')['common']['with']} سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

مقایسه کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایتبا سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

کورسیر VS خودروسازی دی اس
ویژگی

کورسیر MP600 PRO LPX NVMe M.2 ظرفیت 500 گیگابایت

سن دیسک Extreme SDSSDE61 USB 3.2 Gen 2 ظرفیت 1 ترابایت

محتویات جعبه - کابل USB نوع C به USB نوع C ** تبدیل USB نوع C به USB نوع A ** دفترچه راهنما
نشانگر وضعیت LED false true
سیستم‌عامل‌های سازگار سازگار با پلی‌استیشن 5 ویندوز نسخه 8 و بالاتر ** مک OS X نسخه 10.6 و بالاتر
فناوری رمزنگاری AES 256-bit -
قابلیت پشتیبانی از NCQ false false
قابلیت پشتیبانی از RAID false false
قابلیت پشتیبانی از S.M.A.R.T false false
قابلیت پشتیبانی از TRIM false false
قابلیت‌های جانبی مقاوم * برابر حداکثر 20G لرزش ** مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** قابل استفاده * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 90 *صد و دمای 40 *جه ** قابل نگهداری * فضای مرطوب با رطوبت حداکثر 93 *صد و دمای 40 *جه ** نرم‌افزار Corsair SSD Toolbox مقاوم * برابر ضربه تا 1500G ** مقاوم * برابر حداکثر 5G لرزش ** دارای گواهینامه IP65
مجوزها و تاییدیه‌ها - CE,FCC,RCM, BSMI, EAC, UKCA, ICES, BIS
طراحی و ابعاد دستگاه 2280 M.2 -
جزئیات اتصال ذخیره‌سازی PCIe 4.0 x4 / NVMe 1.4 -
نوع کاربری حافظه اینترنال اکسترنال
پورت اتصال حافظه PCIe NVMe -
شیوه اتصال - Type-C به Type-C از نوع USB 3.2 Gen 2
اندازه و ابعاد 11 * 23 * 80 میلی‌متر 9.6 * 52.5 * 100.8 میلی‌متر
رنگ‌بندی - مشکی، آبی، سبز
مواد بدنه - پلاستیک
وزن محصول 340 گرم 52 گرم
حافظه DRAM false false
طول عمر متوسط 1,600,000 ساعت (MTBF) ** 1400 ترابایت (TBW) -
محدوده دمای عملیاتی 0 تا 70 درجه سانتی‌گراد 0 تا 45 درجه سانتی‌گراد
مشخصات حافظه فلش (Flash) 3D TLC NAND -
میزان ظرفیت حافظه 500 MB 1 ترابایت
نرخ خواندن ترتیبی 7100 مگابایت بر ثانیه 1050 مگابایت بر ثانیه
نرخ نوشتن ترتیبی 6800 مگابایت بر ثانیه 1000 مگابایت بر ثانیه
ولتاژ عملیاتی (Operating Voltage) 3.3 ولت -
مشاهده جزئیات مقایسه